依各原廠規定為主,通常依購買憑證之購買日起計算,若無購買憑證則依照出廠日期計算。
購買日起七日內,產品有任何非人損因素的問題,且原包裝配件都在才可申請,並由原廠判定是否可換貨,其流程需7~10個工作天(不含假日)。
●介面 - SATA (6Gb/s) ●容量 - 2TB ●規格尺寸 - 2.5-inch (7mm) ●順序讀取 - 540 MB/s ●順序寫 - 500 MB/s ●耐用性 - 720TB ●SLC寫入加速 ●ECC錯誤糾正技術 ●TRIM 支援 ●三年保固
●2TB ●PCIe Gen4x4 ●M.2 Type 2280-S2-M ●最高循序讀取速度:7,300 MB/s ●最高循序寫入速度:6,400 MB/s ●快閃記憶體類型:BiCS FLASH TLC ●耐久性TBW:800TB ●五年保固
●SATA 6.0Gb/s介面 ●2Ch控制器 ●TLC快取記憶體 ●讀取速度高達 500MB/s●寫入速度高達 450MB/s ●外殼厚度超薄7mm ●抗震耐摔 ●適合桌上型電腦和筆記型電腦 ●三年保固
●1TB ●最高讀取2,000MB/s ; 最高寫入2,000MB/s ●USB-C 3.2 G2x2 20Gbps ●具備IPX5等級的防水保護力 ●符合美國軍規標準,超強抗震設計 ●五年有限保固 ●內附USB Type-C及USB Type-C轉Type-A傳輸線
●SATA 6.0Gb/s介面 ●3D NAND SATA ●連續讀取高達540MB/s ●連讀寫入高達500MB/s ●外殼厚度超薄7mm ●2.5吋規格 ●三年有限保固
●讀取速度7,000MB/s,寫入速度5,000MB/s ●介面:PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 1.3c ●類型:M.2 (2280) ●容量:1TB ●快閃記憶體: Samsung V-NAND 3-bit MLC ●緩衝記憶體: Samsung 1GB Low Power DDR4 SDRAM ●尺寸: 80 x 24 x 8.6 mm (含散熱片) ●重量:30.5g
●1TB ●最高讀取3,200MB/s ; 最高寫入2,000MB/s ●匯流排介面:NVMe PCIe Gen3 x4 ●M.2 2280 ●Flash類型:3D快閃記憶體 ●寫入兆位元組 (TBW):400 TBW ●平均故障間隔 (MTBF):2,000,000 小時 ●原廠五年有限保固
●4,000 GB ●2.5 inch ●介面:SATA 6 Gb/s ●NAND:Samsung V-NAND 4bit MLC ●控制晶片:Samsung MKX Controller ●快取記憶體:Samsung 4 GB Low Power DDR4 SDRAM ●連續讀取速度最高 560 MB/s ●連續寫入速度最高 530 MB/s ●隨機讀取速度 (4KB, QD32)最高 98,000 IOPS ●隨機寫入速度 (4KB, QD32)最高 88,000 IOPS ●隨機讀取速度 (4KB, QD1)最高 11,000 IOPS ●隨機寫入速度 (4KB, QD1)最高 35,000 IOPS ●抗震1,500 G & 0.5 ms (Half sine) ●實體規格 ( 寬 X 長 X 高 )100 X 69.85 X 6.8 (mm) ●重量約 54.0g ●三年保固或1,440TBW 有限保固
●2TB ●3D NAND快閃記憶體 ●快取記憶體:2GB DDR4 ●M.2 2280 ●PCIe Gen4x4, NVMe 1.4 ●讀寫速度:7000/6800 MB/s ●Up 1400 TBW ●支援全方位的資料安全性和糾錯功能 ●五年有限保固或到達產品TBW
●2.5 吋 ●3840GB ●3D TLC ●連續讀取/寫入:560MBs/530MBs ●穩定狀態 4K 隨機讀取/寫入:94,000/59,000 IOPS ●服務品質 (延遲):200/300 uSec(讀取/寫入) ●MTBF:200 萬小時 ●AES 256-bit 加密 ●尺寸:69.9mm x 100mm x 7mm
●尺寸: M.2 ●容量: 2TB ●介面: M.2 NVMe PCIe Gen.4 x4 ●最大讀取速度: 4,950MB/s ●最大寫入速度: 3,700MB/s ●快閃記憶體: QLC(Quad-Level Cell) ●製程: 144 層 QLC 3D NAND ●預期壽命: 450 TBW ●作業抗震能力: 20Hz〜80Hz / 1.52毫米,80Hz〜2000Hz / 20G ●運作溫度: 0°C-70°C ●符合RoHs規範 ●五年保固
●尺寸: M.2 ●容量: 1TB ●介面: M.2 NVMe PCIe Gen.4 x4 ●最大讀取速度: 4,700MB/s ●最大寫入速度: 1,950MB/s ●快閃記憶體: QLC(Quad-Level Cell) ●製程: 144 層 QLC 3D NAND ●預期壽命: 225 TBW ●作業抗震能力: 20Hz〜80Hz / 1.52毫米,80Hz〜2000Hz / 20G ●運作溫度: 0°C-70°C ●符合RoHs規範 ●五年保固
●最高讀取3500MB/秒 ●最高寫入2100MB/秒 ●容量:1000GB ●尺吋/介面:M.22280 ;NVMe PCIe Gen 4 x 4 ●原廠三年有限保固
●容量:500 GB ●M.2 2280 ●介面:PCIe Gen4 x4 ●讀:5000MB/s, 寫:4000MB/s ●無散熱片 ●五年保固
●Micron Crucial P3 Plus 1000GB ( PCIe M.2 ) SSD ●容量 1TB ●讀取速度 5000 MB/s ●寫入速度 3600 MB/s ●3D NAND 創新控制器技術 ●5年保固
●SATA 6.0Gb/s介面 ●先進 3D NAND 技術 ●讀取速度高達 560 MB/s ●寫入速度高達 530 MB/s ●隨機讀寫速度95K/ 84K IOPS ●外殼厚度超薄7mm ●nCache 2.0 技術 ●五年保固
●尺寸大小:100.1mm x 69.85mm x 7mm ●實際重量:40g ●讀寫速度:高達 550MB/s 讀取速度520MB/s 寫入速度 ●儲存容量:512GB ●傳輸介面:SATA Rev. 3.0 (6Gb/s)-向下相容於 SATA Rev. 2.0 (3Gb/s) ●5年保
●SATA 6.0Gb/s 介面●讀取速度高達 560Mb/s●寫入速度高達 510Mb/s●外殼厚度超薄7mm●2.5吋●with 9.5mm adapter●五年保固
2.0TB M.2 NVMe SSD ,PCIe Gen3 x4,讀3400MB/s 寫3000MB/s
●Micron Crucial P3 Plus 500GB ( PCIe M.2 ) SSD ●容量 500GB ●讀取速度 4700MB/s ●寫入速度1900MB/s ●3D NAND 創新控制器技術 ●5年保固