依各原廠規定為主,通常依購買憑證之購買日起計算,若無購買憑證則依照出廠日期計算。
購買日起七日內,產品有任何非人損因素的問題,且原包裝配件都在才可申請,並由原廠判定是否可換貨,其流程需7~10個工作天(不含假日)。
●支援單/雙埠的 24G SAS 介面 ●1,600GB ●外型規格:2.5 吋、高 15 公釐 ●SAS-4 ●Sustained 128 KiB Sequential Read:4,200 MB/s ●Sustained 128 KiB Sequential Write:3,400 MB/s ●雙埠模式的隨機讀取高達 72 萬 IOPS (4 KiB) ●MTTF:2,500,000 hours ●3 DWPD 搭配 100% 隨機寫入工作負載 ●五年保固
●256GB ●PCIe Gen3 x4介面 ●相容NVMe 1.4標準 ●3D NAND ●讀取速度高達2400MB/s ●寫入速度高達1800MB/s ●支援Host Memory Buffer(HMB)提升讀寫效能 ●具備LDPC及AES 256-bit保護數位檔案 ●M.2 2280外觀尺寸 ●3年有限保固
●480GB ●3D NAND ●SATA 6Gb/s ●最高讀寫速度:Up to 520 / 450MB/s ●MTBF:200萬小時 ●支援 ECC 錯誤校正功能 ●2.5吋 ●三年保固
●2TB ●NVMe (PCIe Gen 4 x4) ●讀取速度高達7100MB/s ●寫入速度高達6000MB/s ●M.2 2230外觀尺寸 ●5年保固
●1TB ●NVMe (PCIe Gen 4 x4) ●讀取速度高達7100MB/s ●寫入速度高達6000MB/s ●M.2 2230外觀尺寸 ●5年保固
●讀取速度高達 3500MB/s,寫入速度高達 3200MB/s ●NVMe PCIe Gen3 x4高速介面 ●採用3D NAND快閃記憶體 ●內建DRAM快取記憶體 ●RAID engine 資料保護機制及LDPC自動錯誤改正功能 ●M.2 2280規格 ●五年有限保固
●1TB ●PCIe Gen5.0 x4 ●NVMe2.0 ●232 層 TLC NAND ●讀取速度: 11700MB/s ●寫入速度: 9500MB/s ●搭配Intel XMP 2.0支援還可實現效能復原 ●矮版鋁製散熱器 ●M.2 2280外觀尺寸
●4TB ●NVMe PCIe Gen 4.0 x4 ●讀取速度高達5500MB/s ●寫入速度高達5000MB/s ●WD nCache 4.0 技術 ●高端NVMe儲存技術在應用程式和專案之間平穩切換 ●免費下載Acronis True Image資料遷移軟體 ●M.2 2280尺寸 ●五年有限保固
●支援單/雙埠的 24G SAS 介面 ●12,800 GB ●外型規格:2.5 吋、高 15 公釐 ●SAS-4 ●Sustained 128 KiB Sequential Read:4,200 MB/s ●Sustained 128 KiB Sequential Write:4,100 MB/s ●雙埠模式的隨機讀取高達 72 萬 IOPS (4 KiB) ●MTTF:2,500,000 hours ●3 DWPD 搭配 100% 隨機寫入工作負載 ●五年保固
●2.5 吋 ●7680G ●3D TLC ●連續讀取/寫入:560MBs/530MBs ●穩定狀態 4K 隨機讀取/寫入:94,000/34,000 IOPS ●服務品質 (延遲):240/170 uSec(讀取/寫入) ●MTBF:200 萬小時 ●AES 256-bit 加密 ●尺寸:69.9mm x 100mm x 7mm
●2.5" ●1 TB ●SATA III ●最高連續讀取速度:560 MB/s ●最高連續寫入速度:520 MB/s ●100.2mm x 69.85mm x 7mm ●五年保固
●500GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●5,000MB/s 讀取速度,3,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度:160TBW ●MTBF:2,000,000 小時 ●尺寸:22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●4,000 GB ●2.5 inch ●介面:SATA 6 Gb/s ●NAND:Samsung V-NAND 4bit MLC ●控制晶片:Samsung MKX Controller ●快取記憶體:Samsung 4 GB Low Power DDR4 SDRAM ●連續讀取速度最高 560 MB/s ●連續寫入速度最高 530 MB/s ●隨機讀取速度 (4KB, QD32)最高 98,000 IOPS ●隨機寫入速度 (4KB, QD32)最高 88,000 IOPS ●隨機讀取速度 (4KB, QD1)最高 11,000 IOPS ●隨機寫入速度 (4KB, QD1)最高 35,000 IOPS ●抗震1,500 G & 0.5 ms (Half sine) ●實體規格 ( 寬 X 長 X 高 )100 X 69.85 X 6.8 (mm) ●重量約 54.0g ●三年保固或1,440TBW 有限保固
●Micron Crucial P3 Plus 500GB ( PCIe M.2 ) SSD ●容量 500GB ●讀取速度 4700MB/s ●寫入速度1900MB/s ●3D NAND 創新控制器技術 ●5年保固
●SATA 6.0Gb/s介面 ●3D NAND SATA ●連續讀取高達540MB/s ●連讀寫入高達500MB/s ●外殼厚度超薄7mm ●2.5吋規格 ●三年有限保固
●PCIe Gen 4.0 x4 ●NVMe 2.0介面 ●Samsung V-NAND 3-bit MLC快閃記憶體 ●讀取速度高達7450MB/s ●寫入速度高達6900MB/s ●符合TCG/Opal和IEEE1667標準的AES-256位硬體加密功能 ●M.2 2280尺寸 ●五年有限保固
●2TB ●M.2 2230 NVMe SSD ●速度高達 5,150 MB/s ●PCIe Gen4 x4 ●五年有限保固
●1000GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●6,000MB/s 讀取速度,4,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度:320TBW ●MTBF:2,000,000 小時 ●尺寸:22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●Micron Crucial P3 Plus 1000GB ( PCIe M.2 ) SSD ●容量 1TB ●讀取速度 5000 MB/s ●寫入速度 3600 MB/s ●3D NAND 創新控制器技術 ●5年保固
●SATA 6.0Gb/s介面 ●採用最新3D NAND快閃記憶體技術 ●並內建DDR3 DRAM快取記憶體 ●讀取速度高達560 MB/s ●寫入速度高達500 MB/s ●傳輸速度會因您的系統效能(硬體、軟體、使用方式、產品容量)而有所不同。 ●自動錯誤改正功能 ●垃圾資料回收機制 ●平均抹寫技術 ●深眠模式 ●符合全新M.2規格(80mm) ●五年有限保固