依各原廠規定為主，通常依購買憑證之購買日起計算，若無購買憑證則依照出廠日期計算。
購買日起七日內，產品有任何非人損因素的問題，且原包裝配件都在才可申請，並由原廠判定是否可換貨，其流程需7~10個工作天(不含假日)。
●128GB ●SATA III 6Gb/s ●3D快閃記憶體 ●連續讀寫速度：550/400 MB/s ●4K隨機讀寫速度：55,000/70,000 IOPS ●寫入兆位元組：80 TBW ●平均故障間隔 (MTBF)：2,000,000 小時 ●工作電壓：3.3V±5% ●三年有限保固
●介面：PCIe Gen 5.0 x4, NVMe 2.0 ●M.2 (2280) ●容量：1TB ●循序讀取：13,600 MB/s ●循序寫入：10,200 MB/s ●SSD 耐用性（TBW）：600TB ●採用美光232層TLC NAND ●五年有限保固
●4TB Storage Capacity ●M.2 2280 Form Factor ●PCIe 4.0 x4 Interface ●Max Read Speeds up to 7415 MB/s
●介面：PCIe Gen 5.0 x4, NVMe 2.0 ●M.2 (2280) ●容量：4TB ●循序讀取：14,100 MB/s ●循序寫入：12,600 MB/s ●SSD 耐用性（TBW）：2400TB ●採用美光232層TLC NAND ●五年有限保固
●SATA 6.0Gb/s 介面●讀取速度高達 560Mb/s●寫入速度高達 510Mb/s●外殼厚度超薄7mm●2.5吋●with 9.5mm adapter●五年保固
●SATA6.0Gb/s介面 ●讀取速度535MB/s ●寫入速度450MB/s ●外殼厚度超薄7mm ●2.5吋規格尺寸 ●三年有限保固
●2TB ●PCIe Gen5.0 x4 ●NVMe2.0 ●232 層 TLC NAND ●讀取速度: 12400MB/s ●寫入速度: 11800MB/s ●搭配Intel XMP 2.0支援還可實現效能復原 ●M.2 2280外觀尺寸
●PCIe Gen 4.0 x4 ●NVMe 2.0介面 ●Samsung V-NAND 3-bit MLC快閃記憶體 ●讀取速度高達7450MB/s ●寫入速度高達6900MB/s ●符合TCG/Opal和IEEE1667標準的AES-256位硬體加密功能 ●M.2 2280尺寸 ●五年有限保固
●500 GB ●最高讀取3,200MB/s ; 最高寫入2,000MB/s ●匯流排介面：NVMe PCIe Gen3 x4 ●M.2 2280 ●Flash類型：3D快閃記憶體 ●寫入兆位元組 (TBW)：200 TBW ●平均故障間隔 (MTBF)：2,000,000 小時 ●原廠五年有限保固
●2.5吋 SATA ●500GB ●最大持續傳輸速率：讀:560MB/s; 95000 IOPS 寫:530MB/s; 84000 IOPS ●NAND Flash：TLC(Triple-Level Cell) ●製程：64層 3D NAND ●五年保固
●500GB ●NVMe (PCIe Gen 4 x4) ●讀取速度高達6600MB/s ●寫入速度高達3500MB/s ●M.2 2280外觀尺寸 ●5年保固
●1TB ●NVMe (PCIe Gen 4 x4) ●讀取速度高達7100MB/s ●寫入速度高達6000MB/s ●M.2 2280外觀尺寸 ●5年保固
●500GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●5,000MB/s 讀取速度，3,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度：160TBW ●MTBF：2,000,000 小時 ●尺寸：22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●SATA 6.0Gb/s介面 ●3D NAND SATA ●連續讀取高達540MB/s ●連讀寫入高達500MB/s ●外殼厚度超薄7mm ●2.5吋規格 ●三年有限保固
●2.5" ●500GB ●SATA 6Gb/s ●讀取速度 550MB/s ●寫入速度 500MB/s ●3D NAND 創新控制器技術 ●3年保固
●隨機讀寫速度(IOPS)：讀:90K 寫:82K ●介面：2.5吋 SATA●容量：500GB ●最大持續傳輸速率(MB/秒)：讀:560MB/s, 寫:510MB/s●NAND Flash：TLC(Triple-Level Cell)●製程：64層 3D NAND ●運作溫度：0°C-70°C ●5年保固
●1TB ●讀取速度高達7400MB/s,寫入速度高達6000MB/s ●3D NAND快閃記憶體 ●DRAM CACHE：1GB DDR4 ●M.2 2280 ●PCIe Gen4 x4, NVMe 1.4 ●700 TBW資料寫入總量 ●內建資料安全和糾錯功能 ●五年保固
●2.5" ●1 TB ●SATA III ●最高連續讀取速度：560 MB/s ●最高連續寫入速度：520 MB/s ●100.2mm x 69.85mm x 7mm ●五年保固
●1TB ●三星 V-NAND 3-bit MLC ●讀取速度7,450MB/s，寫入速度6,900MB/s ●介面：NVMe (PCIe Gen 4.0 x4) ●類型：M.2 (2280)
●1000GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●6,000MB/s 讀取速度，4,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度：320TBW ●MTBF：2,000,000 小時 ●尺寸：22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
