依各原廠規定為主，通常依購買憑證之購買日起計算，若無購買憑證則依照出廠日期計算。
購買日起七日內，產品有任何非人損因素的問題，且原包裝配件都在才可申請，並由原廠判定是否可換貨，其流程需7~10個工作天(不含假日)。
●4TB ●NVMe PCIe Gen 4.0 x4 ●讀取速度高達5500MB/s ●寫入速度高達5000MB/s ●WD nCache 4.0 技術 ●高端NVMe儲存技術在應用程式和專案之間平穩切換 ●免費下載Acronis True Image資料遷移軟體 ●M.2 2280尺寸 ●五年有限保固
●介面：PCIe Gen 5.0 x4, NVMe 2.0 ●M.2 (2280) ●容量：4TB ●循序讀取：14,100 MB/s ●循序寫入：12,600 MB/s ●SSD 耐用性（TBW）：2400TB ●採用美光232層TLC NAND ●五年有限保固
●2TB ●PCIe Gen 5x4 ●NVMe傳輸介面 ●支援Microsoft DirectStorage ●讀取速度 10000 MB/s ●寫入速度 8700 MB/s ●3D NAND ●5年保固
●PCIe Gen 4.0 x4 ●NVMe ●TLC 3D NAND ●讀取速度高達7250MB/s ●寫入速度高達6900MB/s ●WD nCache 4.0 技術 ●高端NVMe儲存技術在應用程式和專案之間平穩切換 ●M.2 2280尺寸 ●五年有限保固
●PCIe Gen 4.0 x4 ●NVMe 2.0介面 ●Samsung V-NAND 3-bit MLC快閃記憶體 ●讀取速度高達7450MB/s ●寫入速度高達6900MB/s ●符合TCG/Opal和IEEE1667標準的AES-256位硬體加密功能 ●M.2 2280尺寸 ●五年有限保固
●8TB ●PCIe Gen4 x4介面 ●採用Western Digital TLC 3D NAND ●讀取速度高達7200MB/s ●寫入速度高達6600MB/s ●4800TBW ●M.2 2280外觀尺寸 ●五年有限保固
●4TB ●NVMe (PCIe Gen 4 x4) ●M.2 (2280) ●Sequential Write：6000 MB/s ●Sequential Read：7100 MB/s ●Random Write：1000K IOPS ●Random Read：1000K IOPS ●TBW：800TB ●五年保固
●2TB ●PCIe Gen4 x4 ●M.2 2280 ●3D NAND快閃記憶體 ●連續讀寫速度7000/5400 MB/s *PS5(6200/5400 MB/s) ●保固五年
●500 GB ●最高讀取3,200MB/s ; 最高寫入2,000MB/s ●匯流排介面：NVMe PCIe Gen3 x4 ●M.2 2280 ●Flash類型：3D快閃記憶體 ●寫入兆位元組 (TBW)：200 TBW ●平均故障間隔 (MTBF)：2,000,000 小時 ●原廠五年有限保固
●500GB ●NVMe (PCIe Gen 4 x4) ●讀取速度高達6600MB/s ●寫入速度高達3500MB/s ●M.2 2280外觀尺寸 ●5年保固
●500GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●5,000MB/s 讀取速度，3,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度：160TBW ●MTBF：2,000,000 小時 ●尺寸：22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●2.5" ●500GB ●SATA 6Gb/s ●讀取速度 550MB/s ●寫入速度 500MB/s ●3D NAND 創新控制器技術 ●3年保固
●SATA 6.0Gb/s介面 ●3D NAND SATA ●連續讀取高達540MB/s ●連讀寫入高達500MB/s ●外殼厚度超薄7mm ●2.5吋規格 ●三年有限保固
●1000GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●6,000MB/s 讀取速度，4,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度：320TBW ●MTBF：2,000,000 小時 ●尺寸：22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●256GB ●3D NAND快閃記憶體 ●NVMe PCIe Gen3 x4 ●M.2 2230 ●連續讀寫速度：高達 2,000/950 MB/s ●4K隨機讀寫速度：高達 90,000/220,000 IOPS ●寫入兆位元組：100 TBW ●平均故障間隔 (MTBF)：2,000,000 小時 ●LDPC除錯機制 ●五年有限保固
●Samsung V-NAND TLC ●介面: PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0 ●M.2 (2280) ●高達 7,450 / 6,900 MB/s 的讀 / 寫速度 ●快取記憶體: Samsung 4GB Low Power DDR4 SDRAM ●尺寸: 80.15 x 25 x 8.88 (含散熱片)
●2.5" ●1 TB ●SATA III ●最高連續讀取速度：560 MB/s ●最高連續寫入速度：520 MB/s ●100.2mm x 69.85mm x 7mm ●五年保固
●容量:1TB ●介面規格:PCI-E ●尺寸: M.2 ● 記憶體顆粒:TLC ●適用系統:PC ●重量(g):13.4g ●保固:五年保固
●2000GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●6,000MB/s 讀取速度，5,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度：640TBW ●MTBF：2,000,000 小時 ●尺寸：22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●1TB ●NVMe (PCIe Gen 4 x4) ●讀取速度高達7100MB/s ●寫入速度高達6000MB/s ●M.2 2280外觀尺寸 ●5年保固
