依各原廠規定為主,通常依購買憑證之購買日起計算,若無購買憑證則依照出廠日期計算。
購買日起七日內,產品有任何非人損因素的問題,且原包裝配件都在才可申請,並由原廠判定是否可換貨,其流程需7~10個工作天(不含假日)。
●SATA 6.0Gb/s介面 ●3D NAND SATA ●連續讀取高達540MB/s ●連讀寫入高達500MB/s ●外殼厚度7mm ●2.5吋規格 ●三年有限保固
●1TB ●M.2 2230 ●PCIe 4.0 x4 NVMe ●連續讀取/寫入:6,000/4,000MB/s ●3D NAND ●耐用度:320TB ●尺寸:22mm x 30mm x 2.3mm ●MTBF:2,000,000 小時 ●5 年有限產品保固及免費技術支援服務
●480GB ●PCIe Gen 4x4 ●NVMe傳輸介面 ●讀取速度 4700 MB/s ●寫入速度 2500 MB/s ●3D NAND ●3年保固
●SATA 6.0Gb/s介面 ●連續讀取高達540MB/s ●連讀寫入高達500MB/s ●外殼厚度超薄7mm ●SLC 寫入加速 ●自我監控分析與報告技術 (SMART) ●TRIM 支援 ●錯誤更正碼 (ECC) ●2.5吋規格 ●三年有限保固
●SATA 6.0Gb/s介面 ●2Ch控制器 ●TLC快取記憶體 ●讀取速度高達 500MB/s●寫入速度高達 450MB/s ●外殼厚度超薄7mm ●抗震耐摔 ●適合桌上型電腦和筆記型電腦 ●三年保固
●容量:4,000 GB ●2.5 inch ●介面:SATA 6 GB/s ●Samsung V-NAND 3bit MLC ●控制晶片:Samsung MKX Controller ●快取記憶體:Samsung 4 GB Low Power DDR4 SDRAM ●MTBF:1.5 百萬小時 ●5年或2,400 TBW 有限保固
●250GB ●連續讀寫速度:高達 3,200/1,800 MB/s ●4K隨機讀寫速度:高達 100,000/390,000 IOPS ●3D快閃記憶體 ●NVMe PCIe Gen4 x4 ●M.2 2280 ●寫入兆位元組:150 TBW ●平均故障間隔 (MTBF):2,000,000 小時 ●五年有限保固
●2 TB ●介面:PCIe Gen4×4 ●讀7,400M/寫6,900M ●最新3D TLC NAND技術 ●MTBF:180萬小時 ●五年保固
●500GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●5,000MB/s 讀取速度,3,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度:160TBW ●MTBF:2,000,000 小時 ●尺寸:22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●SATA6.0Gb/s介面 ● 3D NAND TLC快閃記憶體 ● 讀取速度高達560Mb/s ● 寫入速度高達500Mb/s ● 厚度僅6.8mm ● 2.5吋 ● RAID engine資料保護機制 ● LDPC (Low Density Parity Check)除錯機制 ● 平均抹寫區塊(Wear Leveling)技術 ● 五年有限保固 ● 鋁殼
●SATA 6.0Gb/s介面 ●採用最新3D NAND快閃記憶體技術 ●並內建DDR3 DRAM快取記憶體 ●讀取速度高達560 MB/s ●寫入速度高達400 MB/s ●傳輸速度會因您的系統效能(硬體、軟體、使用方式、產品容量)而有所不同。 ●自動錯誤改正功能 ●垃圾資料回收機制 ●平均抹寫技術 ●深眠模式 ●符合全新M.2規格(80mm) ●五年有限保固
●容量:240 GB ●尺吋:42.0 mm x 22.0 mm x 3.58 mm (1.65" x 0.87" x 0.14")● Weight (Max.) 8 g (0.28 oz)●SATA III 6Gb/s
●PCIe Gen4 x4介面 ●相容NVMe 1.4標準 ●3D NAND ●搭載SLC快取演算法 ●讀取速度高達7400MB/s(PC);6300MB/s(PS5) ●寫入速度高達6800MB/s ●酷冷鎧甲20%有感降溫 ●閃存效能的3A大作 ●搭載LDPC(Low Density Parity Check Code低密度奇偶檢查碼)錯誤校正機制及RAID Engine(磁碟陣列加速器) ●E2E Data Protection(端到端資料保護)和AES 256高階加密機制 ●M.2 2280外觀尺寸 ●5年有限保固
●2.5" ●500GB ●SATA 6Gb/s ●讀取速度 550MB/s ●寫入速度 500MB/s ●3D NAND 創新控制器技術 ●3年保固
●PCIe Gen 4.0 x4 ●NVMe 2.0介面 ●Samsung V-NAND 3-bit MLC快閃記憶體 ●讀取速度高達7450MB/s ●寫入速度高達6900MB/s ●符合TCG/Opal和IEEE1667標準的AES-256位硬體加密功能 ●M.2 2280尺寸 ●五年有限保固
●512 GB ●Flash類型:3D快閃記憶體 ●匯流排介面:NVMe PCIe Gen3 x4 ●連續讀寫速度:高達 2,000/900 MB/s ●4K隨機讀寫速度:高達 53,000/235,000 IOPS ●寫入兆位元組 (TBW):200 TBW ●平均故障間隔 (MTBF):2,000,000 小時 ●每日全碟寫入次數 (DWPD):0.21 (5 年) ●規格:M.2 2242 ●尺寸:單面打件 42 mm x 22 mm x 2.23 mm ●重量:5 g (0.18 oz) ●五年有限保固
●512GB ●PCIe Gen4 x4 ●M.2 2280 ●3D NAND快閃記憶體 ●連續讀寫速度7000/5400 MB/s *PS5(6200/5400 MB/s) ●保固五年
●容量2TB ●介面NVMe PCIe Gen3 x4 ●3D快閃記憶體 ●連續讀寫速度 (2TB) 3,500/2,700 MB/s ●4K隨機讀寫速度 (2TB) 340,000/310,000 IOPS ●平均故障間隔 (MTBF) 2,000,000 小時 ●每日全碟寫入次數 (DWPD) 1.2 (5 年) ●尺寸 80 x 22 x 3.58 mm ●五年有限保固
●1000GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●6,000MB/s 讀取速度,4,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度:320TBW ●MTBF:2,000,000 小時 ●尺寸:22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固