依各原廠規定為主，通常依購買憑證之購買日起計算，若無購買憑證則依照出廠日期計算。
購買日起七日內，產品有任何非人損因素的問題，且原包裝配件都在才可申請，並由原廠判定是否可換貨，其流程需7~10個工作天(不含假日)。
●4TB ●PCIe 4.0 NVMe傳輸介面 ●運用最新的 Gen 4x4 NVMe 控制器和 3D TLC NAND ●讀取速度高達 7300Mb/s ●寫入速度高達 7000Mb/s ●搭配薄型石墨烯鋁合金散熱貼片 ●隨附備份軟體 ●M.2 2280外觀規格 ●五年有限保固
●介面：PCIe Gen 5.0 x4, NVMe 2.0 ●M.2 (2280) ●容量：4TB ●循序讀取：14,100 MB/s ●循序寫入：12,600 MB/s ●SSD 耐用性（TBW）：2400TB ●採用美光232層TLC NAND ●五年有限保固
●Micron Crucial P3 Plus 1000GB ( PCIe M.2 ) SSD ●容量 1TB ●讀取速度 5000 MB/s ●寫入速度 3600 MB/s ●3D NAND 創新控制器技術 ●5年保固
●2TB ●PCIe Gen4 x4 / PCIe Gen5 x2介面 ●NVMe 2.0 ●讀取速度高達5000MB/s ●寫入速度高達4200MB/s ●Samsung V-NAND TLC ●TRIM支援 ●S.M.A.R.T支援 ●管理魔術師軟體 ●M.2 2280外觀尺寸 ●五年保固
●2TB ●NVMe (PCIe Gen 4 x4) ●讀取速度高達7100MB/s ●寫入速度高達6000MB/s ●M.2 2230外觀尺寸 ●5年保固
●PCIe Gen4 x4 / PCIe Gen5 x2介面 ●NVMe 2.0 ●Samsung V-NAND TLC ●讀取速度高達7250MB/s ●寫入速度高達6300MB/s ●三星魔術師管理軟體 ●M.2 2280外觀尺寸 ●五年保固
●SATA 6.0Gb/s介面 ●採用最新3D NAND快閃記憶體技術 ●並內建DDR3 DRAM快取記憶體 ●讀取速度高達560 MB/s ●寫入速度高達400 MB/s ●傳輸速度會因您的系統效能（硬體、軟體、使用方式、產品容量）而有所不同。 ●自動錯誤改正功能 ●垃圾資料回收機制 ●平均抹寫技術 ●深眠模式 ●符合全新M.2規格(80mm) ●五年有限保固
●規格：M.2 2242 ●SATA III 6Gb/s ●3D快閃記憶體 ●256 GB ●連續讀寫速度：高達 530/400 MB/s ●4K隨機讀寫速度：高達 45,000/70,000 IOPS ●寫入兆位元組：140 TBW ●平均故障間隔 (MTBF)：2,000,000 小時 ●每日全碟寫入次數 (DWPD)：0.3 (5 年) ●TLC ●尺寸：42.0 mm x 22.0 mm x 3.58 mm ●重量：5 g ●五年有限保固
●500 GB ●最高讀取3,200MB/s ; 最高寫入2,000MB/s ●匯流排介面：NVMe PCIe Gen3 x4 ●M.2 2280 ●Flash類型：3D快閃記憶體 ●寫入兆位元組 (TBW)：200 TBW ●平均故障間隔 (MTBF)：2,000,000 小時 ●原廠五年有限保固
●1TB ●USB3.2 Gen2x1介面(10Gbps) ●USB Type-C+Type-A雙接頭 ●3D快閃記憶體 ●讀取速率高達1050MB/s ●寫入速度高達950MB/s ●鋁合金外殼 ●內建的ECC糾錯功能 ●五年有限保固
●250GB ●最高讀取3,000MB/s ; 最高寫入1,300MB/s ●匯流排介面：NVMe PCIe Gen3 x4 ●M.2 2280 ●Flash類型：3D快閃記憶體 ●寫入兆位元組 (TBW)：100 TBW ●平均故障間隔 (MTBF)：2,000,000 小時 ●原廠五年有限保固
●2.5" ●1 TB ●SATA III ●最高連續讀取速度：560 MB/s ●最高連續寫入速度：520 MB/s ●100.2mm x 69.85mm x 7mm ●五年保固
●SATA 6.0Gb/s介面 ●3D NAND SATA ●連續讀取高達540MB/s ●連讀寫入高達500MB/s ●外殼厚度超薄7mm ●2.5吋規格 ●三年有限保固
●1TB ●PCIe Gen4 x4 ●M.2 2280 ●3D NAND快閃記憶體 ●連續讀寫速度7000/5400 MB/s *PS5(6200/5400 MB/s) ●保固五年
●隨機讀寫速度(IOPS)：讀:90K 寫:82K ●介面：2.5吋 SATA●容量：500GB ●最大持續傳輸速率(MB/秒)：讀:560MB/s, 寫:510MB/s●NAND Flash：TLC(Triple-Level Cell)●製程：64層 3D NAND ●運作溫度：0°C-70°C ●5年保固
●1000GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●6,000MB/s 讀取速度，4,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度：320TBW ●MTBF：2,000,000 小時 ●尺寸：22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●1000GB ●PCIe3.0x4 ●NVMe1.3 ●讀取速度高達2400MB/s ●寫入速度高達1800MB/s ●支援主機記憶體緩衝技術,HMB(Host Memory Buffer) ●支援TRIM指令及S.M.A.R.T自我檢測分析報告技術 ●M.2 2280外觀尺寸 ●三年有限保固
●500GB ●PCIe Gen4x4 ● NVMe 1.4傳輸介面 ●3D TLC快閃記憶體 ●讀取速度高達 7000Mb/s ●寫入速度高達 3000Mb/s ●M.2 2280-S2外觀規格 ●MTBF：180萬小時 ●隨附3年資料救援服務 ●五年有限保固(免費到府收送)
●500GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●5,000MB/s 讀取速度，3,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度：160TBW ●MTBF：2,000,000 小時 ●尺寸：22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
