依各原廠規定為主，通常依購買憑證之購買日起計算，若無購買憑證則依照出廠日期計算。
購買日起七日內，產品有任何非人損因素的問題，且原包裝配件都在才可申請，並由原廠判定是否可換貨，其流程需7~10個工作天(不含假日)。
●PCIe Gen 4.0 x4 ●NVMe 2.0介面 ●Samsung V-NAND 3-bit MLC快閃記憶體 ●讀取速度高達7450MB/s ●寫入速度高達6900MB/s ●符合TCG/Opal和IEEE1667標準的AES-256位硬體加密功能 ●M.2 2280尺寸 ●五年有限保固
●讀取速度高達 3500MB/s,寫入速度高達 3200MB/s ●NVMe PCIe Gen3 x4高速介面 ●採用3D NAND快閃記憶體 ●內建DRAM快取記憶體 ●RAID engine 資料保護機制及LDPC自動錯誤改正功能 ●M.2 2280規格 ●五年有限保固
●500GB ●M.2 2230 ●PCIe 4.0 x4 NVMe ●連續讀取/寫入：5,000/3,000MB/s ●3D NAND ●耐用度：160TB ●尺寸：22mm x 30mm x 2.3mm ●MTBF：2,000,000 小時 ●5 年有限產品保固及免費技術支援服務
●最高讀取550MB/秒 ●最高寫入520MB/秒 ●容量：512GB ●規格：mSATA ●介面：SATA3.0(6Gb/s)–向下相容於 SATA2.0(3Gb/s) ●最低枆能;2倍 TBW 耐用度 ●完整加密保護：TCG Opal/AES 256位元/eDrive ●原廠五年有限保固
●1TB ●PCIe 4.0 NVMe傳輸介面 ●運用最新的 Gen 4x4 NVMe 控制器和 3D TLC NAND ●讀取速度高達 7300Mb/s ●寫入速度高達 6000Mb/s ●搭配薄型石墨烯鋁合金散熱貼片 ●隨附備份軟體 ●M.2 2280外觀規格 ●五年有限保固
●1TB ●NVMe PCIe Gen4 x4傳輸介面 ●採用3D NAND快閃記憶體顆粒 ●讀取速度高達5000MB/s ●寫入速度高達3500MB/s ●S.M.A.R.T. ●智慧回收演算法 ●RAID Engine資料保護機制 ●LDPC除錯機制 ●五年有限保固
●SATA 6.0Gb/s 介面●讀取速度高達 560Mb/s●寫入速度高達 510Mb/s●外殼厚度超薄7mm●2.5吋●with 9.5mm adapter●五年保固
●4TB ●PCIe 4.0 NVMe傳輸介面 ●運用最新的 Gen 4x4 NVMe 控制器和 3D TLC NAND ●讀取速度高達 7300Mb/s ●寫入速度高達 7000Mb/s ●搭配薄型石墨烯鋁合金散熱貼片 ●隨附備份軟體 ●M.2 2280外觀規格 ●五年有限保固
●1TB ●PCIe 4.0 NVMe M.2 2280 ●7,300MB/s 讀取速度，6,000MB/s 寫入速度 ●3D TLC NAND ●五年有限保固
●SATA 6.0Gb/s介面 ●TLC ●3D NAND快閃記憶體 ●最高讀取高達500MB/s ●寫入速度高達450MB/s ●250 TBW資料寫入總量 ●支援全方位的資料安全性和糾錯功能 ●3D NAND採用多層垂直堆疊 ●2.5吋外觀尺寸 ●5年保固
●1000GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●6,000MB/s 讀取速度，4,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度：320TBW ●MTBF：2,000,000 小時 ●尺寸：22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●2.5" ●500GB ●SATA 6Gb/s ●讀取速度 550MB/s ●寫入速度 500MB/s ●3D NAND 創新控制器技術 ●3年保固
●500GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●5,000MB/s 讀取速度，3,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度：160TBW ●MTBF：2,000,000 小時 ●尺寸：22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●2.5" ●1 TB ●SATA III ●最高連續讀取速度：560 MB/s ●最高連續寫入速度：520 MB/s ●100.2mm x 69.85mm x 7mm ●五年保固
●2.5" ●1TB ●SATA 6.0Gb/s介面 ●先進 3D NAND 技術 ●讀取速度高達 560 MB/s ●寫入速度高達 520 MB/s ●外殼厚度超薄7mm ●nCache 2.0 技術 ●五年保固
●隨機讀寫速度(IOPS)：讀:90K 寫:82K ●介面：2.5吋 SATA●容量：500GB ●最大持續傳輸速率(MB/秒)：讀:560MB/s, 寫:510MB/s●NAND Flash：TLC(Triple-Level Cell)●製程：64層 3D NAND ●運作溫度：0°C-70°C ●5年保固
●1TB ●NVMe PCIe Gen4 x4傳輸介面 ●符合NVMe 1.4接口標準 ●搭載3D NAND快閃記憶體 ●讀取速度高達 3800Mb/s ●寫入速度高達 3200Mb/s ●搭載超薄石墨烯散熱片 ●內建LDPC 除錯機制 ●五年有限保固
●SATA 6.0Gb/s介面 ●3D NAND SATA ●連續讀取高達540MB/s ●連讀寫入高達500MB/s ●外殼厚度超薄7mm ●2.5吋規格 ●三年有限保固
●1TB ●NVMe (PCIe Gen 4 x4) ●讀取速度高達7100MB/s ●寫入速度高達6000MB/s ●M.2 2280外觀尺寸 ●5年保固
