依各原廠規定為主,通常依購買憑證之購買日起計算,若無購買憑證則依照出廠日期計算。
購買日起七日內,產品有任何非人損因素的問題,且原包裝配件都在才可申請,並由原廠判定是否可換貨,其流程需7~10個工作天(不含假日)。
●NVMe PCIe Gen4 x4傳輸介面 ●採用3D NAND快閃記憶體 ●讀取速度高達 5000Mb/s ●寫入速度高達 4000Mb/s ●內建LDPC除錯機制 ●創見提供免費下載SSD Scope軟體 ●M.2 2230外觀規格 ●單面打件 ●五年有限保固
●讀取速度560MB/s,寫入速度530MB/s ●介面:SATA 6 Gb/s ●類型:2.5 英吋 ●容量:2TB ●SSD固態硬碟顆粒:TLC=3bit MLC ●原廠5年保固
●PCIe Gen 4x4 ●NVMe傳輸介面 ●用全球首款232層3D TLC NAND ●相容筆記型電腦、桌上型電腦、PS5 ●支援Microsoft DirectStorage ●讀取速度高達7000Mb/s ●寫入速度高達6900Mb/s ●M.2 2280外觀規格 ●五年有限保固
●4TB ●PCIe Gen 5x4 ●NVMe傳輸介面 ●支援Microsoft DirectStorage ●讀取速度 14500 MB/s ●寫入速度 13800 MB/s ●3D NAND ●5年保固
●SATA6.0Gb/s介面 ● 3D NAND TLC快閃記憶體 ● 讀取速度高達560Mb/s ● 寫入速度高達500Mb/s ● 厚度僅6.8mm ● 2.5吋 ● RAID engine資料保護機制 ● LDPC (Low Density Parity Check)除錯機制 ● 平均抹寫區塊(Wear Leveling)技術 ● 五年有限保固 ● 鋁殼
●介面 - SATA (6Gb/s) ●容量 - 2TB ●規格尺寸 - 2.5-inch (7mm) ●順序讀取 - 540 MB/s ●順序寫 - 500 MB/s ●耐用性 - 720TB ●SLC寫入加速 ●ECC錯誤糾正技術 ●TRIM 支援 ●三年保固
●1TB ●NVMe (PCIe Gen 4 x4) ●讀取速度高達7100MB/s ●寫入速度高達6000MB/s ●M.2 2280外觀尺寸 ●5年保固
●SATA 6.0Gb/s介面●採用最新3D NAND快閃記憶體技術 ●讀取速度高達560 MB/s ●寫入速度高達500 MB/s ●傳輸速度會因您的系統效能(硬體、軟體、使用方式、產品容量)而有所不同。●纖薄輕巧 ●厚度僅6.8mm ●RAID engine資料保護機制及LDPC除錯機制 ●垃圾資料回收機制 ●平均抹寫技術●深眠模式功能 ●五年有限保固 ●鋁殼
●250GB ●連續讀寫速度:高達 3,200/1,800 MB/s ●4K隨機讀寫速度:高達 100,000/390,000 IOPS ●3D快閃記憶體 ●NVMe PCIe Gen4 x4 ●M.2 2280 ●寫入兆位元組:150 TBW ●平均故障間隔 (MTBF):2,000,000 小時 ●五年有限保固
●4,000 GB ●2.5 inch ●介面:SATA 6 Gb/s ●NAND:Samsung V-NAND 4bit MLC ●控制晶片:Samsung MKX Controller ●快取記憶體:Samsung 4 GB Low Power DDR4 SDRAM ●連續讀取速度最高 560 MB/s ●連續寫入速度最高 530 MB/s ●隨機讀取速度 (4KB, QD32)最高 98,000 IOPS ●隨機寫入速度 (4KB, QD32)最高 88,000 IOPS ●隨機讀取速度 (4KB, QD1)最高 11,000 IOPS ●隨機寫入速度 (4KB, QD1)最高 35,000 IOPS ●抗震1,500 G & 0.5 ms (Half sine) ●實體規格 ( 寬 X 長 X 高 )100 X 69.85 X 6.8 (mm) ●重量約 54.0g ●三年保固或1,440TBW 有限保固
●500GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●5,000MB/s 讀取速度,3,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度:160TBW ●MTBF:2,000,000 小時 ●尺寸:22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●2.5" ●1 TB ●SATA III ●最高連續讀取速度:560 MB/s ●最高連續寫入速度:520 MB/s ●100.2mm x 69.85mm x 7mm ●五年保固
●2.5" ●500GB ●SATA 6Gb/s ●讀取速度 550MB/s ●寫入速度 500MB/s ●3D NAND 創新控制器技術 ●3年保固
●512 GB ●Flash類型:3D快閃記憶體 ●匯流排介面:NVMe PCIe Gen3 x4 ●連續讀寫速度:高達 2,000/900 MB/s ●4K隨機讀寫速度:高達 53,000/235,000 IOPS ●寫入兆位元組 (TBW):200 TBW ●平均故障間隔 (MTBF):2,000,000 小時 ●每日全碟寫入次數 (DWPD):0.21 (5 年) ●規格:M.2 2242 ●尺寸:單面打件 42 mm x 22 mm x 2.23 mm ●重量:5 g (0.18 oz) ●五年有限保固
●SATA 6.0Gb/s介面 ●3D NAND SATA ●連續讀取高達540MB/s ●連讀寫入高達500MB/s ●外殼厚度超薄7mm ●2.5吋規格 ●三年有限保固
●1TB ●三星 V-NAND 3-bit MLC ●讀取速度7,450MB/s,寫入速度6,900MB/s ●介面:NVMe (PCIe Gen 4.0 x4) ●類型:M.2 (2280)
●1000GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●6,000MB/s 讀取速度,4,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度:320TBW ●MTBF:2,000,000 小時 ●尺寸:22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●2000GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●6,000MB/s 讀取速度,5,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度:640TBW ●MTBF:2,000,000 小時 ●尺寸:22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●隨機讀寫速度(IOPS):讀:90K 寫:82K ●介面:2.5吋 SATA●容量:500GB ●最大持續傳輸速率(MB/秒):讀:560MB/s, 寫:510MB/s●NAND Flash:TLC(Triple-Level Cell)●製程:64層 3D NAND ●運作溫度:0°C-70°C ●5年保固