依各原廠規定為主，通常依購買憑證之購買日起計算，若無購買憑證則依照出廠日期計算。
購買日起七日內，產品有任何非人損因素的問題，且原包裝配件都在才可申請，並由原廠判定是否可換貨，其流程需7~10個工作天(不含假日)。
●4TB ●NVMe (PCIe Gen 4 x4) ●M.2 (2280) ●Sequential Write：6000 MB/s ●Sequential Read：7100 MB/s ●Random Write：1000K IOPS ●Random Read：1000K IOPS ●TBW：800TB ●五年保固
●SATA 6.0Gb/s介面 ●3D NAND SATA ●連續讀取高達540MB/s ●連讀寫入高達500MB/s ●外殼厚度超薄7mm ●2.5吋規格 ●三年有限保固
●1TB ●M.2 2230 ●PCIe 4.0 x4 NVMe ●連續讀取/寫入：6,000/4,000MB/s ●3D NAND ●耐用度：320TB ●尺寸：22mm x 30mm x 2.3mm ●MTBF：2,000,000 小時 ●5 年有限產品保固及免費技術支援服務
●1TB ●M.2 Type 2280-S2-M ●PCIe Gen3x4 ●TLC ●最高循序讀取速度2,100 MB/s ●最高循序寫入速度1,700 MB/s ●最高隨機讀取速度400,000 IOPS ●最高隨機寫入速度400,000 IOPS ●耐久性 400 TBW ●MTTF：150 萬 小時 ●5 年保固
●2.5" ●500GB ●SATA 6Gb/s ●讀取速度 550MB/s ●寫入速度 500MB/s ●3D NAND 創新控制器技術 ●3年保固
●500GB ●NVMe (PCIe Gen 4 x4) ●讀取速度高達6600MB/s ●寫入速度高達3500MB/s ●M.2 2280外觀尺寸 ●5年保固
●1 TB ●M.2 2280 ●PCIe Gen 5.0x4 ●TLC 3D CBA NAND 技術 ●連續讀取：14900MB/s ●連續寫入：11000MB/s ●隨機讀取速度：1.6M IOPS ●隨機寫入速度：2.4M IOPS
●SATA 6.0Gb/s介面 ●採用最新3D NAND快閃記憶體技術 ●並內建DDR3 DRAM快取記憶體 ●讀取速度高達560 MB/s ●寫入速度高達400 MB/s ●傳輸速度會因您的系統效能（硬體、軟體、使用方式、產品容量）而有所不同。 ●自動錯誤改正功能 ●垃圾資料回收機制 ●平均抹寫技術 ●深眠模式 ●符合全新M.2規格(80mm) ●五年有限保固
●SATA 6.0Gb/s介面 ●2Ch控制器 ●TLC快取記憶體 ●讀取速度高達 500MB/s●寫入速度高達 450MB/s ●外殼厚度超薄7mm ●抗震耐摔 ●適合桌上型電腦和筆記型電腦 ●三年保固
●2.5 吋 ●7680G ●3D TLC ●連續讀取/寫入：560MBs/530MBs ●穩定狀態 4K 隨機讀取/寫入：94,000/34,000 IOPS ●服務品質 (延遲)：240/170 uSec(讀取/寫入) ●MTBF：200 萬小時 ●AES 256-bit 加密 ●尺寸：69.9mm x 100mm x 7mm
●2.5" ●1 TB ●SATA III ●最高連續讀取速度：560 MB/s ●最高連續寫入速度：520 MB/s ●100.2mm x 69.85mm x 7mm ●五年保固
●隨機讀寫速度(IOPS)：讀:90K 寫:82K ●介面：2.5吋 SATA●容量：500GB ●最大持續傳輸速率(MB/秒)：讀:560MB/s, 寫:510MB/s●NAND Flash：TLC(Triple-Level Cell)●製程：64層 3D NAND ●運作溫度：0°C-70°C ●5年保固
●500GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●5,000MB/s 讀取速度，3,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度：160TBW ●MTBF：2,000,000 小時 ●尺寸：22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●1TB ●NVMe (PCIe Gen 4 x4) ●讀取速度高達7100MB/s ●寫入速度高達6000MB/s ●M.2 2280外觀尺寸 ●5年保固
●1000GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●6,000MB/s 讀取速度，4,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度：320TBW ●MTBF：2,000,000 小時 ●尺寸：22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●2,000GB ●介面：PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0 ●Samsung V-NAND TLC ●快取記憶體：Samsung 2GB Low Power DDR4X SDRAM ●M.2 (2280) ●連續讀取速度：最高 14,700 MB/s ●連續寫入速度：最高 13,400 MB/s ●5年或1200TBW有限保固
●2000GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●6,000MB/s 讀取速度，5,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度：640TBW ●MTBF：2,000,000 小時 ●尺寸：22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
