依各原廠規定為主，通常依購買憑證之購買日起計算，若無購買憑證則依照出廠日期計算。
購買日起七日內，產品有任何非人損因素的問題，且原包裝配件都在才可申請，並由原廠判定是否可換貨，其流程需7~10個工作天(不含假日)。
●介面：PCIe Gen 5.0 x4, NVMe 2.0 ●M.2 (2280) ●容量：4TB ●循序讀取：14,100 MB/s ●循序寫入：12,600 MB/s ●SSD 耐用性（TBW）：2400TB ●採用美光232層TLC NAND ●五年有限保固
●1TB ●PCIe Gen4 x4 / PCIe Gen5 x2介面 ●NVMe 2.0 ●讀取速度高達5000MB/s ●寫入速度高達4200MB/s ●Samsung V-NAND TLC ●TRIM支援 ●S.M.A.R.T支援 ●管理魔術師軟體 ●M.2 2280外觀尺寸 ●五年保固
●PCIe Gen4 x4 / PCIe Gen5 x2介面 ●NVMe 2.0 ●Samsung V-NAND TLC ●讀取速度高達7250MB/s ●寫入速度高達6300MB/s ●三星魔術師管理軟體 ●M.2 2280外觀尺寸 ●五年保固
●1TB ●PCIe Gen5.0 x4 ●NVMe2.0 ●232 層 TLC NAND ●讀取速度: 11700MB/s ●寫入速度: 9500MB/s ●搭配Intel XMP 2.0支援還可實現效能復原 ●M.2 2280外觀尺寸
●2.5吋 SATA ●500GB ●最大持續傳輸速率：讀:560MB/s; 95000 IOPS 寫:530MB/s; 84000 IOPS ●NAND Flash：TLC(Triple-Level Cell) ●製程：64層 3D NAND ●五年保固
●128GB ●採用標準2.5吋SATA III(6.0Gb/s)介面 ●最高讀/寫速度570MB/s ● 470MB/s ●採用DuraWrite技術 ●同步型MLC快閃記憶體 ●SSD Scope ●監控SSD效能 ●超薄7mm機身 ●支援深眠模式(DevSleep) ●低功耗設計為電池增加續航力 ●SSD Scope支援磁碟自我監測分析報告 S.M.A.R.T. ●TS128GSSD370S ●鋁殼
●2 TB Solid State Drive ●2.5" ●Serial ATA 6Gb/s ●讀寫速度：560MB/s, 540MB/s
●NVMe PCIe Gen4 x4傳輸介面 ●採用3D NAND快閃記憶體 ●讀取速度高達 5000Mb/s ●寫入速度高達 3500Mb/s ●內建LDPC除錯機制 ●創見提供免費下載SSD Scope軟體 ●M.2 2230外觀規格 ●單面打件 ●五年有限保固
●PCIe Gen 4.0 x4 ●NVMe 2.0介面 ●Samsung V-NAND 3-bit MLC快閃記憶體 ●讀取速度高達7450MB/s ●寫入速度高達6900MB/s ●符合TCG/Opal和IEEE1667標準的AES-256位硬體加密功能 ●M.2 2280尺寸 ●五年有限保固
●2TB ●NVMe (PCIe Gen 4 x4) ●讀取速度高達7100MB/s ●寫入速度高達6000MB/s ●M.2 2280外觀尺寸 ●5年保固
●2.5" ●500GB ●SATA 6Gb/s ●讀取速度 550MB/s ●寫入速度 500MB/s ●3D NAND 創新控制器技術 ●3年保固
●容量：7 TB ●尺寸規格：2.5" 7mm ●傳輸介面：SATA 6 Gb/s ●持續循序讀取 (128KB, QD32)：530 MB/s ●持續循序寫入 (128KB, QD32)：500 MB/s ●持續隨機讀取 (4KB, QD32)：97,000 IOPS ●持續隨機寫入 (4KB, QD32)：50,000 IOPS ●耐寫度(TBW)：11,460 TB ●斷電保護 ●5年保固
●1000GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●6,000MB/s 讀取速度，4,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度：320TBW ●MTBF：2,000,000 小時 ●尺寸：22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●2.5" ●1 TB ●SATA III ●最高連續讀取速度：560 MB/s ●最高連續寫入速度：520 MB/s ●100.2mm x 69.85mm x 7mm ●五年保固
●SATA 6.0Gb/s介面 ●3D NAND SATA ●連續讀取高達540MB/s ●連讀寫入高達500MB/s ●外殼厚度超薄7mm ●2.5吋規格 ●三年有限保固
●隨機讀寫速度(IOPS)：讀:90K 寫:82K ●介面：2.5吋 SATA●容量：500GB ●最大持續傳輸速率(MB/秒)：讀:560MB/s, 寫:510MB/s●NAND Flash：TLC(Triple-Level Cell)●製程：64層 3D NAND ●運作溫度：0°C-70°C ●5年保固
●512GB ●DevSleep技術 ●MLC高品質顆粒 ●高效能、高穩定,搭載DDR3 DRAM cache快取記憶體 ●支援S.M.A.R.T.、TRIM及NCQ指令 ●智慧磁區管理與資料抹寫平均化功能 ●TS512GMSA370
●500GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●5,000MB/s 讀取速度，3,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度：160TBW ●MTBF：2,000,000 小時 ●尺寸：22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●1TB ●NVMe (PCIe Gen 4 x4) ●讀取速度高達7100MB/s ●寫入速度高達6000MB/s ●M.2 2280外觀尺寸 ●5年保固
●500GB ●NVMe (PCIe Gen 4 x4) ●讀取速度高達6600MB/s ●寫入速度高達3500MB/s ●M.2 2280外觀尺寸 ●5年保固
