依各原廠規定為主，通常依購買憑證之購買日起計算，若無購買憑證則依照出廠日期計算。
購買日起七日內，產品有任何非人損因素的問題，且原包裝配件都在才可申請，並由原廠判定是否可換貨，其流程需7~10個工作天(不含假日)。
●2.5" ●500GB ●SATA 6.0Gb/s介面 ●先進 3D NAND 技術 ●讀取速度高達 560 MB/s ●寫入速度高達 510 MB/s ●外殼厚度超薄7mm ●nCache 2.0 技術 ●五年保固
●960GB ●2.5" 7mm ●傳輸介面：SATA 6 Gb/s ●持續循序讀取 (128KB, QD32)：500 MB/s ●持續循序寫入 (128KB, QD32)：500 MB/s ●持續隨機讀取 (4KB, QD32)：90,000 IOPS ●持續隨機寫入 (4KB, QD32)：30,000 IOPS ●寫入兆位元組 (Terabytes Written，TBW)：>1700 TB ●斷電保護 ●5 年保固
●2.5吋 ●SATA6.0Gb/s介面 ●讀取速度530MB/s ●寫入速度440MB/s ●超薄7mm機身 ●SDSSDA-240G-G26(吊卡式包裝) ●3 年有限保固
●2.5" ●1 TB ●SATA III ●最高連續讀取速度：560 MB/s ●最高連續寫入速度：520 MB/s ●100.2mm x 69.85mm x 7mm ●五年保固
●SATA 6Gb/s介面 ●V-NAND 4bit MLC快取記憶體 ●讀取速度560Mb/s ●寫入速度530Mb/s ●2.5吋規格 ●三年有限保固
●4000GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●6,000MB/s 讀取速度，5,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度：1280TBW ●MTBF：2,000,000 小時 ●尺寸：22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●4TB ●NVMe PCIe Gen 4.0 x4 ●讀取速度高達5500MB/s ●寫入速度高達5000MB/s ●WD nCache 4.0 技術 ●高端NVMe儲存技術在應用程式和專案之間平穩切換 ●免費下載Acronis True Image資料遷移軟體 ●M.2 2280尺寸 ●五年有限保固
●SATA 6.0Gb/s介面 ●2Ch控制器 ●TLC快取記憶體 ●讀取速度高達 500MB/s●寫入速度高達 450MB/s ●外殼厚度超薄7mm ●抗震耐摔 ●適合桌上型電腦和筆記型電腦 ●三年保固
●1024GB ●最高讀取7000MB/秒 ●最高寫入6000MB/秒 ●PCIe 4.0 NVMe ●控制晶片：Phison E18 ●薄型石墨烯鋁合金散熱貼片 ●NAND：3D TLC ●尺寸：80 x 22 x 2.21 mm ●重量：7g ●原廠五年有限保固
●1,000GB ●介面：PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0 ●Samsung V-NAND TLC ●快取記憶體：Samsung 1GB Low Power DDR4X SDRAM ●M.2 (2280) ●連續讀取速度：最高 14,700 MB/s ●連續寫入速度：最高 13,300 MB/s ●5年或600TBW有限保固
●SATA 6.0Gb/s介面 ●3D NAND SATA ●連續讀取高達540MB/s ●連讀寫入高達500MB/s ●外殼厚度超薄7mm ●2.5吋規格 ●三年有限保固
●4TB ●PCIe Gen 3x4 傳輸介面 ●Gen3 NVMe技術 ●3D NAND和創新的控制器技術 ●讀取速度高達3500Mb/s ●寫入速度高達3000Mb/s ●M.2 2280外觀規格 ●五年有限保固
●2.5" ●500GB ●SATA 6Gb/s ●讀取速度 550MB/s ●寫入速度 500MB/s ●3D NAND 創新控制器技術 ●3年保固
●400GB ●M.2 2280 ●NVMe PCIe 3.0x4 ●讀寫速度：每秒3000/750MB ●隨機讀取：225,000 IOPS ●隨機寫入：45,000 IOPS ●180萬小時(MTBF) ●五年保固 ●尺寸：3.5 x 22 x 80 mm
●1TB ●NVMe (PCIe Gen 4 x4) ●讀取速度高達7100MB/s ●寫入速度高達6000MB/s ●M.2 2280外觀尺寸 ●5年保固
●500GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●5,000MB/s 讀取速度，3,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度：160TBW ●MTBF：2,000,000 小時 ●尺寸：22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●隨機讀寫速度(IOPS)：讀:90K 寫:82K ●介面：2.5吋 SATA●容量：500GB ●最大持續傳輸速率(MB/秒)：讀:560MB/s, 寫:510MB/s●NAND Flash：TLC(Triple-Level Cell)●製程：64層 3D NAND ●運作溫度：0°C-70°C ●5年保固
●1000GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●6,000MB/s 讀取速度，4,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度：320TBW ●MTBF：2,000,000 小時 ●尺寸：22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●PCIe Gen4 x4 / PCIe Gen5 x2介面 ●NVMe 2.0 ●Samsung V-NAND TLC ●讀取速度高達7150MB/s ●寫入速度高達6300MB/s ●三星魔術師管理軟體 ●M.2 2280外觀尺寸 ●五年保固
