依各原廠規定為主，通常依購買憑證之購買日起計算，若無購買憑證則依照出廠日期計算。
購買日起七日內，產品有任何非人損因素的問題，且原包裝配件都在才可申請，並由原廠判定是否可換貨，其流程需7~10個工作天(不含假日)。
●SATA 6.0Gb/s介面●採用最新3D NAND快閃記憶體技術 ●讀取速度高達560 MB/s ●寫入速度高達500 MB/s ●傳輸速度會因您的系統效能（硬體、軟體、使用方式、產品容量）而有所不同。●纖薄輕巧 ●厚度僅6.8mm ●RAID engine資料保護機制及LDPC除錯機制 ●垃圾資料回收機制 ●平均抹寫技術●深眠模式功能 ●五年有限保固 ●鋁殼
●SATA 6Gb/s介面 ●3D NAND快閃記憶體 ●內建SLC caching效能增強 ●讀取速度高達530Mb/s ●寫入速度高達480Mb/s ●具備RAID engine資料保護機制及LDPC除錯機制 ●平均抹寫技術 ●垃圾資料回收機制 ●深眠模式(DevSleep) ●2.5吋外觀尺寸 ●外殼厚度超薄6.8mm ●三年有限保固
●480GB ●PCIe Gen 4x4 ●NVMe傳輸介面 ●讀取速度 4700 MB/s ●寫入速度 2500 MB/s ●3D NAND ●3年保固
●讀取速度560MB/s，寫入速度530MB/s ●介面：SATA 6 Gb/s ●類型：2.5 英吋 ●容量：1TB ●SSD固態硬碟顆粒：TLC=3bit MLC ●原廠5年保固
●PCIe Gen4x4 介面 ●3D TLC NAND 快閃記憶體 ●連續讀寫:讀5000M/寫4400M ●寫入壽命(TBW):1400 ●M.2 2280外觀規格 ●五年有限保固 ●隨附3年Rescue 資料救援計畫
●容量:512GB ●外觀尺寸(mm):SSD420I: 99.8mm × 69.8mm × 7.0mm ●重量(g): SSD420I: Max 95g ●MTBF(小時): 1,500,000小時 ●工作電壓(V): 5V±5% ●三年有限保固
●2TB ●PCIe Gen4 x4介面 ●相容NVMe 1.4標準 ●3D NAND ●讀取速度高達5000MB/s(PC) ●4600MB/s(PS5) ●寫入速度高達4500MB/s ●支援Intel和AMD最新平台 ●擴充PS5主機儲存空間 ●M.2 2280外觀尺寸 ●5年有限保固
240GB NVMe SSD Mac 升級套件
500GB SSD,適用2012至2013年初配備Retina 的 MacBook Pro
●NVMe PCIe Gen3 x2介面 ●符合最新NVMe 1.3規範 ●96層3D NAND快閃記憶體 ●讀取速度高達 1700Mb/s ●寫入速度高達 1250Mb/s ●內建LDPC ECC自動糾錯功能 ●支援全區平均抹寫及故障區塊管理 ●垃圾資料回收機制 ●M.2 2242外觀尺寸 ●三年有限保固
●2.5" ●500GB ●SATA 6Gb/s ●讀取速度 550MB/s ●寫入速度 500MB/s ●3D NAND 創新控制器技術 ●3年保固
●64GB ●SATA III 6Gb/s ●3D快閃記憶體 ●連續讀寫速度：350/200 MB/s ●4K隨機讀寫速度：35,000/50,000 IOPS ●寫入兆位元組：40 TBW ●平均故障間隔 (MTBF)：2,000,000 小時 ●工作電壓：3.3V±5% ●三年有限保固
●2TB ●最大連續讀取/寫入速度：10,000/9,600 ●最大連續讀取/寫入速度：1,600,000/1,450,000 ●BiCS FLASH QLC ●NVMe 2.0c 技術 ●M.2 2280 外型規格 ●PCIe Gen5 x4 ●SSD Utility 管理軟體 ●MTTF：150 萬 小時 ●最高 5 年保固
●4TB ●PCIe Gen5.0 x4 ●NVMe2.0 ●232 層 TLC NAND ●讀取速度: 12400MB/s ●寫入速度: 11800MB/s ●搭配Intel XMP 2.0支援還可實現效能復原 ●M.2 2280外觀尺寸
●2000GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●6,000MB/s 讀取速度，5,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度：640TBW ●MTBF：2,000,000 小時 ●尺寸：22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●4TB ●PCIe 5.0 NVMe傳輸介面 ●運用最新的 Gen 5x4 NVMe 控制器和 3D TLC NAND ●讀取速度高達 14800Mb/s ●寫入速度高達 14000Mb/s ●M.2 2280外觀規格 ●五年有限保固
●2,000GB ●介面：PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0 ●Samsung V-NAND TLC ●快取記憶體：Samsung 2GB Low Power DDR4X SDRAM ●M.2 (2280) ●連續讀取速度：最高 14,700 MB/s ●連續寫入速度：最高 13,400 MB/s ●5年或1200TBW有限保固
●1000GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●6,000MB/s 讀取速度，4,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度：320TBW ●MTBF：2,000,000 小時 ●尺寸：22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●500GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●5,000MB/s 讀取速度，3,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度：160TBW ●MTBF：2,000,000 小時 ●尺寸：22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●480GB ●3D NAND ●SATA 6Gb/s ●最高讀寫速度：Up to 520 / 450MB/s ●MTBF：200萬小時 ●支援 ECC 錯誤校正功能 ●2.5吋 ●三年保固
