依各原廠規定為主,通常依購買憑證之購買日起計算,若無購買憑證則依照出廠日期計算。
購買日起七日內,產品有任何非人損因素的問題,且原包裝配件都在才可申請,並由原廠判定是否可換貨,其流程需7~10個工作天(不含假日)。
●500GB ●NVMe PCIe Gen4 x4傳輸介面 ●符合NVMe 1.4接口標準 ●搭載3D NAND快閃記憶體 ●讀取速度高達 3800Mb/s ●寫入速度高達 3200Mb/s ●搭載超薄石墨烯散熱片 ●內建LDPC 除錯機制 ●五年有限保固
●容量:1TB ●介面規格:M.2 ●尺寸:M.2 ●記憶體顆粒:TLC ●五年保固
●500 GB ●最高讀取3,200MB/s ; 最高寫入2,000MB/s ●匯流排介面:NVMe PCIe Gen3 x4 ●M.2 2280 ●Flash類型:3D快閃記憶體 ●寫入兆位元組 (TBW):200 TBW ●平均故障間隔 (MTBF):2,000,000 小時 ●原廠五年有限保固
●介面: SATA III 6Gb/s ●連續讀取速度: 最高550MB/s ●連續寫入速度: 最高520MB/s ●IOPs: 80,000 ●耐衝擊力: 1,500G/0.5msec ●耐震動強度: 15G ●支援SATA省電模式 ●SLC Caching快取演算技術 ●內建先進平均抹寫技術(Wear Leveling) ●自動錯誤校正(ECC)功能 ●原廠3年保固
●支援單/雙埠的 24G SAS 介面 ●3,200 GB ●外型規格:2.5 吋、高 15 公釐 ●SAS-4 ●Sustained 128 KiB Sequential Read:4,200 MB/s ●Sustained 128 KiB Sequential Write:3,650 MB/s ●雙埠模式的隨機讀取高達 72 萬 IOPS (4 KiB) ●MTTF:2,500,000 hours ●3 DWPD 搭配 100% 隨機寫入工作負載 ●五年保固
●容量:2TB ●介面規格:M.2 ●尺寸:M.2 ●記憶體顆粒:TLC ●最高讀取/寫入速度: 5000/4400 MB/s ●五年保固
●Samsung V-NAND TLC ●介面: PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0 ●M.2 (2280) ●高達 7,450 / 6,900 MB/s 的讀 / 寫速度 ●快取記憶體: Samsung 4GB Low Power DDR4 SDRAM ●尺寸: 80.15 x 25 x 8.88 (含散熱片)
●尺寸大小: 100.1mm x 69.85mm x 7mm ●實際重量: 40g ●讀寫速度: 高達 550MB/s, 讀取速度: 520MB/s 寫入速度 ●儲存容量: 256G ●傳輸介面: SATA Rev. 3.0 (6Gb/s) – 向下相容於 SATA Rev. 2.0 (3Gb/s)
●SATA 6.0Gb/s介面 ●TLC ●3D NAND快閃記憶體 ●最高讀取高達500MB/s ●寫入速度高達450MB/s ●250 TBW資料寫入總量 ●支援全方位的資料安全性和糾錯功能 ●3D NAND採用多層垂直堆疊 ●2.5吋外觀尺寸 ●5年保固
●USB 3.1 Gen 2介面 ● Type C/A通用 ● 能與PC及MAC電腦搭配使用 ● 傳輸速度高達1050 MB/s ● 防水和防塵等級為IP55 ● 五年有限保固
●500GB ●NVMe (PCIe Gen 4 x4) ●讀取速度高達6600MB/s ●寫入速度高達3500MB/s ●M.2 2280外觀尺寸 ●5年保固
●500GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●5,000MB/s 讀取速度,3,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度:160TBW ●MTBF:2,000,000 小時 ●尺寸:22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●2.5" ●1 TB ●SATA III ●最高連續讀取速度:560 MB/s ●最高連續寫入速度:520 MB/s ●100.2mm x 69.85mm x 7mm ●五年保固
●2TB ●M.2 Type 2280-S3-M ●快閃記憶體類型:BiCS FLASH QLC ●介面最高速度:64 GT/s (PCIe Gen4x4) ●最高循序讀取速度:7,300 MB/s ●最高循序寫入速度:6,800 MB/s ●最高隨機讀取速度:1,000,000 IOPS ●最高隨機寫入速度:1,250,000 IOPS ●耐久性 TBW:600 TB ●MTTF:150 萬 小時 ●5 年保固
480GB M.2 NVMe SSD,PCIe Gen3 x4,讀3400MB/s 寫3000MB/s
●PCIe Gen 4.0 x4 ●NVMe 2.0介面 ●Samsung V-NAND 3-bit MLC快閃記憶體 ●讀取速度高達7450MB/s ●寫入速度高達6900MB/s ●符合TCG/Opal和IEEE1667標準的AES-256位硬體加密功能 ●M.2 2280尺寸 ●五年有限保固
●M.2 SATA規格 (長度80mm) ●SATA III 6Gb/s介面 ●3D NAND快閃記憶體 ●讀取速度(最大)560 MB/s ●寫入速度(最大)510 MB/s ●傳輸速度會因您的系統效能(硬體、軟體、使用方式、產品容量)而有所不同 ●內建SLC caching技術 ●內建RAID engine資料保護機制以及LDPC (Low Density Parity Check)除錯機制 ●三年有限保固
●SATA 6.0Gb/s介面 ●3D NAND SATA ●連續讀取高達540MB/s ●連讀寫入高達500MB/s ●外殼厚度超薄7mm ●2.5吋規格 ●三年有限保固
●2000GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●6,000MB/s 讀取速度,5,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度:640TBW ●MTBF:2,000,000 小時 ●尺寸:22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●1000GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●6,000MB/s 讀取速度,4,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度:320TBW ●MTBF:2,000,000 小時 ●尺寸:22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固