●500GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●5,000MB/s 讀取速度，3,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度：160TBW ●MTBF：2,000,000 小時 ●尺寸：22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●1000GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●6,000MB/s 讀取速度，4,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度：320TBW ●MTBF：2,000,000 小時 ●尺寸：22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●介面：PCIe Gen 5.0 x4, NVMe 2.0 ●M.2 (2280) ●容量：2TB ●循序讀取：14,500 MB/s ●循序寫入：12,700 MB/s ●SSD 耐用性（TBW）：1200TB ●採用美光232層TLC NAND ●五年有限保固
●2.5 吋 ●480GB ●3D TLC ●連續讀取/寫入：560MBs/470MBs ●穩定狀態 4K 隨機讀取/寫入：94,000/41,000 IOPS ●服務品質 (延遲)：180/110 uSec(讀取/寫入) ●MTBF：200 萬小時 ●AES 256-bit 加密 ●尺寸：69.9mm x 100mm x 7mm
●2.5 吋 ●960GB ●3D TLC ●連續讀取/寫入：560MBs/530MBs ●穩定狀態 4K 隨機讀取/寫入：94,000/65,000 IOPS ●服務品質 (延遲)：200/300 uSec(讀取/寫入) ●MTBF：200 萬小時 ●AES 256-bit 加密 ●尺寸：69.9mm x 100mm x 7mm
●2.5 吋 ●3840GB ●3D TLC ●連續讀取/寫入：560MBs/530MBs ●穩定狀態 4K 隨機讀取/寫入：94,000/59,000 IOPS ●服務品質 (延遲)：200/300 uSec(讀取/寫入) ●MTBF：200 萬小時 ●AES 256-bit 加密 ●尺寸：69.9mm x 100mm x 7mm
●2.5 吋 ●7680G ●3D TLC ●連續讀取/寫入：560MBs/530MBs ●穩定狀態 4K 隨機讀取/寫入：94,000/34,000 IOPS ●服務品質 (延遲)：240/170 uSec(讀取/寫入) ●MTBF：200 萬小時 ●AES 256-bit 加密 ●尺寸：69.9mm x 100mm x 7mm
●2.5 吋 ●1920GB ●3D TLC ●連續讀取/寫入：560MBs/530MBs ●穩定狀態 4K 隨機讀取/寫入：94,000/78,000 IOPS ●服務品質 (延遲)：200/300 uSec(讀取/寫入) ●MTBF：200 萬小時 ●AES 256-bit 加密 ●尺寸：69.9mm x 100mm x 7mm
●PCIe Gen4 x4介面 ●相容NVMe 1.4標準 ●3D NAND ●搭載SLC快取演算法 ●讀取速度高達7400MB/s(PC)；6300MB/s(PS5) ●寫入速度高達6800MB/s ●酷冷鎧甲20%有感降溫 ●閃存效能的3A大作 ●搭載LDPC(Low Density Parity Check Code低密度奇偶檢查碼)錯誤校正機制及RAID Engine(磁碟陣列加速器) ●E2E Data Protection(端到端資料保護)和AES 256高階加密機制 ●M.2 2280外觀尺寸 ●5年有限保固
●1TB ●PCIe Gen 4x4 ●NVMe傳輸介面 ●232層3D TLC NAND ●支援Microsoft DirectStorage ●讀取速度高達7300Mb/s ●寫入速度高達6800Mb/s ●M.2 2280外觀規格 ●五年有限保固
●PCIe Gen 4.0 x4 ●NVMe 2.0介面 ●Samsung V-NAND 3-bit MLC快閃記憶體 ●讀取速度高達7450MB/s ●寫入速度高達6900MB/s ●符合TCG/Opal和IEEE1667標準的AES-256位硬體加密功能 ●M.2 2280尺寸 ●五年有限保固
●4,000GB ●介面：PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0 ●Samsung V-NAND TLC ●快取記憶體：Samsung 4GB Low Power DDR4X SDRAM ●M.2 (2280) ●連續讀取速度：最高 14,800 MB/s ●連續寫入速度：最高 13,400 MB/s ●5年或2400TBW有限保固
