依各原廠規定為主,通常依購買憑證之購買日起計算,若無購買憑證則依照出廠日期計算。
購買日起七日內,產品有任何非人損因素的問題,且原包裝配件都在才可申請,並由原廠判定是否可換貨,其流程需7~10個工作天(不含假日)。
●1TB ●NVMe (PCIe Gen 4 x4) ●讀取速度高達7100MB/s ●寫入速度高達6000MB/s ●M.2 2230外觀尺寸 ●5年保固
●2TB ●PCIe Gen 5x4 ●NVMe傳輸介面 ●支援Microsoft DirectStorage ●讀取速度 14500 MB/s ●寫入速度 13800 MB/s ●3D NAND ●5年保固
●PCIe Gen 3 介面 ●讀取速度高達2400MB/s ●寫入速度高達1500MB/s ●速度比傳統Sandisk SSD PLUS SATA固態硬碟快5倍 ●M.2 2280外觀尺寸 ●3年保固
●4,000GB ●介面:PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0 ●Samsung V-NAND TLC ●快取記憶體:Samsung 4GB Low Power DDR4X SDRAM ●M.2 (2280) ●連續讀取速度:最高 14,800 MB/s ●連續寫入速度:最高 13,400 MB/s ●5年或2400TBW有限保固
●4TB Storage Capacity ●M.2 2280 Form Factor ●PCIe 4.0 x4 Interface ●Max Read Speeds up to 7415 MB/s
●SSD Black SN850X系列 ●4TB ●M.2 2280 ●PCIe Gen4 x4 ●讀:7300MB/s, 寫:6600MB/s ●厚度:2.38 mm ●重量:7.5g±1g ●五年保固 ●無散熱片
●480GB ●3D NAND ●SATA 6Gb/s ●最高讀寫速度:Up to 520 / 450MB/s ●MTBF:200萬小時 ●支援 ECC 錯誤校正功能 ●2.5吋 ●三年保固
●8TB ●PCIe Gen4 x4介面 ●採用Western Digital TLC 3D NAND ●讀取速度高達7200MB/s ●寫入速度高達6600MB/s ●4800TBW ●M.2 2280外觀尺寸 ●五年有限保固
●SATA 6.0Gb/s介面 ●採用最新3D NAND快閃記憶體技術 ●並內建DDR3 DRAM快取記憶體 ●讀取速度高達560 MB/s ●寫入速度高達400 MB/s ●傳輸速度會因您的系統效能(硬體、軟體、使用方式、產品容量)而有所不同。 ●自動錯誤改正功能 ●垃圾資料回收機制 ●平均抹寫技術 ●深眠模式 ●符合全新M.2規格(80mm) ●五年有限保固
●1TB ●NVMe (PCIe Gen 4 x4) ●讀取速度高達7100MB/s ●寫入速度高達6000MB/s ●M.2 2280外觀尺寸 ●5年保固
●容量:512GB ●外觀尺寸(mm):SSD420I: 99.8mm × 69.8mm × 7.0mm ●重量(g): SSD420I: Max 95g ●MTBF(小時): 1,500,000小時 ●工作電壓(V): 5V±5% ●三年有限保固
●SATA 6.0Gb/s介面 ●3D NAND SATA ●連續讀取高達540MB/s ●連讀寫入高達500MB/s ●外殼厚度超薄7mm ●2.5吋規格 ●三年有限保固
●2000GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●6,000MB/s 讀取速度,5,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度:640TBW ●MTBF:2,000,000 小時 ●尺寸:22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●500GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●5,000MB/s 讀取速度,3,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度:160TBW ●MTBF:2,000,000 小時 ●尺寸:22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●1000GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●6,000MB/s 讀取速度,4,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度:320TBW ●MTBF:2,000,000 小時 ●尺寸:22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●2.5" ●500GB ●SATA 6Gb/s ●讀取速度 550MB/s ●寫入速度 500MB/s ●3D NAND 創新控制器技術 ●3年保固
●2.5" ●1 TB ●SATA III ●最高連續讀取速度:560 MB/s ●最高連續寫入速度:520 MB/s ●100.2mm x 69.85mm x 7mm ●五年保固
●尺寸 2.5吋 ●容量 240GB ●介面 SATA3 ●傳輸速度 Read: 550 MB/s; Write: 490 MB/s ●快閃記憶體 TLC(Triple-Level Cell) ●製程 15奈米 ●運作溫度 0°C-70°C ●符合RoHs規範 是 ● 三年保固