依各原廠規定為主,通常依購買憑證之購買日起計算,若無購買憑證則依照出廠日期計算。
購買日起七日內,產品有任何非人損因素的問題,且原包裝配件都在才可申請,並由原廠判定是否可換貨,其流程需7~10個工作天(不含假日)。
●4TB ●SATA 6Gb/s介面 ●3D TLC NAND 快閃記憶體 ●持續讀寫(MB/s):560/540 ●隨機讀寫(IOPS):95K/90K ●寫入壽命(TBW):1400TB ●外殼厚度超薄7mm ●2.5吋外觀規格 ●五年有限保固 ●隨附3年Rescue 資料救援計畫*購買後需至官網註冊產品序號
●SATA 6.0Gb/s介面 ●TLC ●3D NAND快閃記憶體 ●最高讀取高達500MB/s ●寫入速度高達450MB/s ●250 TBW資料寫入總量 ●支援全方位的資料安全性和糾錯功能 ●3D NAND採用多層垂直堆疊 ●2.5吋外觀尺寸 ●5年保固
●4TB ●PCIe Gen 5x4 ●NVMe傳輸介面 ●支援Microsoft DirectStorage ●讀取速度 14500 MB/s ●寫入速度 13800 MB/s ●3D NAND ●5年保固
●2 TB ●介面:PCIe Gen4×4 ●讀7,400M/寫6,900M ●最新3D TLC NAND技術 ●MTBF:180萬小時 ●五年保固
●PCIe Gen 4.0 x4 ●NVMe 2.0介面 ●Samsung V-NAND 3-bit MLC快閃記憶體 ●讀取速度高達7450MB/s ●寫入速度高達6900MB/s ●符合TCG/Opal和IEEE1667標準的AES-256位硬體加密功能 ●M.2 2280尺寸 ●五年有限保固
480GB NVMe SSD ,Mac 升級套件
●PCIe Gen4 x4介面 ●相容NVMe 1.4標準 ●3D NAND ●搭載SLC快取演算法 ●讀取速度高達7400MB/s(PC);6300MB/s(PS5) ●寫入速度高達6800MB/s ●酷冷鎧甲20%有感降溫 ●閃存效能的3A大作 ●搭載LDPC(Low Density Parity Check Code低密度奇偶檢查碼)錯誤校正機制及RAID Engine(磁碟陣列加速器) ●E2E Data Protection(端到端資料保護)和AES 256高階加密機制 ●M.2 2280外觀尺寸 ●5年有限保固
●容量:4,000 GB ●2.5 inch ●介面:SATA 6 GB/s ●Samsung V-NAND 3bit MLC ●控制晶片:Samsung MKX Controller ●快取記憶體:Samsung 4 GB Low Power DDR4 SDRAM ●MTBF:1.5 百萬小時 ●5年或2,400 TBW 有限保固
●SATA 6.0Gb/s介面 ●2Ch控制器 ●TLC快取記憶體 ●讀取速度高達 500MB/s●寫入速度高達 450MB/s ●外殼厚度超薄7mm ●抗震耐摔 ●適合桌上型電腦和筆記型電腦 ●三年保固
●介面: SATA III 6Gb/s ●連續讀取速度: 最高550MB/s ●連續寫入速度: 最高520MB/s ●IOPs: 80,000 ●耐衝擊力: 1,500G/0.5msec ●耐震動強度: 15G ●支援SATA省電模式 ●SLC Caching快取演算技術 ●內建先進平均抹寫技術(Wear Leveling) ●自動錯誤校正(ECC)功能 ●原廠3年保固
●2.5" ●500GB ●SATA 6Gb/s ●讀取速度 550MB/s ●寫入速度 500MB/s ●3D NAND 創新控制器技術 ●3年保固
●1000GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●6,000MB/s 讀取速度,4,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度:320TBW ●MTBF:2,000,000 小時 ●尺寸:22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●USB 3.1 Gen 2 (USB 10Gbps) ●USB Type C轉USB Type A傳輸線 ●USB Type C轉USB Type C傳輸線 ●3D快閃記憶體 ●讀取速度高達520MB/s ●寫入速度460MB/s ●三年有限保固
●1TB ●M.2 Type 2280-S2-M ●PCIe Gen3x4 ●TLC ●最高循序讀取速度2,100 MB/s ●最高循序寫入速度1,700 MB/s ●最高隨機讀取速度400,000 IOPS ●最高隨機寫入速度400,000 IOPS ●耐久性 400 TBW ●MTTF:150 萬 小時 ●5 年保固
●2000GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●6,000MB/s 讀取速度,5,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度:640TBW ●MTBF:2,000,000 小時 ●尺寸:22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●500GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●5,000MB/s 讀取速度,3,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度:160TBW ●MTBF:2,000,000 小時 ●尺寸:22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●1TB ●最高讀取3,200MB/s ; 最高寫入2,000MB/s ●匯流排介面:NVMe PCIe Gen3 x4 ●M.2 2280 ●Flash類型:3D快閃記憶體 ●寫入兆位元組 (TBW):400 TBW ●平均故障間隔 (MTBF):2,000,000 小時 ●原廠五年有限保固
●256GB ●2.5吋 ●SATA3 6Gb/s介面 ●高達540MB與340MB讀寫速度 ●外殼厚度僅6.8mm ●支援深眠模式(DevSleep) ●MLC快閃記憶體 ●尺寸:100*69.85*6.8mm ●58g ●三年有限保固
●256GB ●DevSleep技術 ●MLC高品質顆粒 ●高效能、高穩定 ●搭載DDR3 DRAM cache快取記憶體 ●支援S.M.A.R.T.、TRIM及NCQ指令 ●智慧磁區管理與資料抹寫平均化功能 ●TS256GMSA370