依各原廠規定為主，通常依購買憑證之購買日起計算，若無購買憑證則依照出廠日期計算。
購買日起七日內，產品有任何非人損因素的問題，且原包裝配件都在才可申請，並由原廠判定是否可換貨，其流程需7~10個工作天(不含假日)。
●PCIe Gen 4.0 x4 ●NVMe 2.0介面 ●Samsung V-NAND 3-bit MLC快閃記憶體 ●讀取速度高達7450MB/s ●寫入速度高達6900MB/s ●符合TCG/Opal和IEEE1667標準的AES-256位硬體加密功能 ●M.2 2280尺寸 ●五年有限保固
●SATA 6.0Gb/s介面 ●3D TLC NAND 技術 ●讀取速度高達 550MB/s ●寫入速度高達 520MB/s ●支援包含 AES 256 位元硬體加密 ●2.5吋規格 ●外殼厚度超薄7mm ●五年有限保固 ●僅包含硬碟，未隨附複製軟體
●PCIe Gen4x4介面 ●符合 NVMe 1.4標準 ●3D NAND快閃記憶體 ●讀取速度高達 7400Mb/s ●寫入速度高達 5500Mb/s ●搭載 LDPC錯誤校正機制及 RAID Engine增加資料正確性 ●AES 256 高階加密機制 ●M.2 2280外觀尺寸 ●五年有限保固
●1TB ●M.2 Type 2280-S2-M ●PCIe Gen3x4 ●TLC ●最高循序讀取速度2,100 MB/s ●最高循序寫入速度1,700 MB/s ●最高隨機讀取速度400,000 IOPS ●最高隨機寫入速度400,000 IOPS ●耐久性 400 TBW ●MTTF：150 萬 小時 ●5 年保固
●2000GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●6,000MB/s 讀取速度，5,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度：640TBW ●MTBF：2,000,000 小時 ●尺寸：22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●128GB ●採用標準2.5吋SATA III(6.0Gb/s)介面 ●最高讀/寫速度570MB/s ● 470MB/s ●採用DuraWrite技術 ●同步型MLC快閃記憶體 ●SSD Scope ●監控SSD效能 ●超薄7mm機身 ●支援深眠模式(DevSleep) ●低功耗設計為電池增加續航力 ●SSD Scope支援磁碟自我監測分析報告 S.M.A.R.T. ●TS128GSSD370S ●鋁殼
●PCIe Gen 4.0 x4 ●NVMe ●TLC 3D NAND ●讀取速度高達6800MB/s ●寫入速度高達5800MB/s ●WD nCache 4.0 技術 ●高端NVMe儲存技術在應用程式和專案之間平穩切換 ●M.2 2280尺寸 ●五年有限保固
●SATA6.0Gb/s介面 ● 3D NAND TLC快閃記憶體 ● 讀取速度高達560Mb/s ● 寫入速度高達500Mb/s ● 厚度僅6.8mm ● 2.5吋 ● RAID engine資料保護機制 ● LDPC (Low Density Parity Check)除錯機制 ● 平均抹寫區塊(Wear Leveling)技術 ● 五年有限保固 ● 鋁殼
●4 TB ●介面：PCIe Gen4×4 ●讀7,400M/寫6,800M ●最新3D TLC NAND技術 ●MTBF：180萬小時 ●五年保固
●2TB ●PCIe 5.0 NVMe傳輸介面 ●運用最新的 Gen 5x4 NVMe 控制器和 3D TLC NAND ●讀取速度高達 14700Mb/s ●寫入速度高達 14000Mb/s ●M.2 2280外觀規格 ●五年有限保固
●500GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●5,000MB/s 讀取速度，3,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度：160TBW ●MTBF：2,000,000 小時 ●尺寸：22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●512GB ●採用標準2.5吋SATA III(6.0Gb/s)介面 ●最高讀/寫速度570MB/s, 470MB/s ●採用DuraWrite技術 ●同步型MLC快閃記憶體 ●SSD Scope ●監控SSD效能 ●超薄7mm機身 ●支援深眠模式(DevSleep) ●低功耗設計為電池增加續航力 ●SSD Scope支援磁碟自我監測分析報告 S.M.A.R.T. ●TS512GSSD370S ●鋁殼
●1000GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●6,000MB/s 讀取速度，4,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度：320TBW ●MTBF：2,000,000 小時 ●尺寸：22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●2,000GB ●介面：PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0 ●Samsung V-NAND TLC ●快取記憶體：Samsung 2GB Low Power DDR4X SDRAM ●M.2 (2280) ●連續讀取速度：最高 14,700 MB/s ●連續寫入速度：最高 13,400 MB/s ●5年或1200TBW有限保固
●SATA 6.0Gb/s介面 ●3D NAND SATA ●連續讀取高達540MB/s ●連讀寫入高達500MB/s ●外殼厚度超薄7mm ●2.5吋規格 ●三年有限保固
●2.5" ●500GB ●SATA 6Gb/s ●讀取速度 550MB/s ●寫入速度 500MB/s ●3D NAND 創新控制器技術 ●3年保固
●2.5" ●1 TB ●SATA III ●最高連續讀取速度：560 MB/s ●最高連續寫入速度：520 MB/s ●100.2mm x 69.85mm x 7mm ●五年保固
●1TB ●NVMe (PCIe Gen 4 x4) ●讀取速度高達7100MB/s ●寫入速度高達6000MB/s ●M.2 2280外觀尺寸 ●5年保固
●SSD Black SN850X系列 ●1TB ●M.2 2280 ●PCIe Gen4 x4 ●讀:7300MB/s, 寫:6300MB/s ●厚度：2.38 mm ●重量：7.5g±1g ●五年保固 ●無散熱片
