依各原廠規定為主,通常依購買憑證之購買日起計算,若無購買憑證則依照出廠日期計算。
購買日起七日內,產品有任何非人損因素的問題,且原包裝配件都在才可申請,並由原廠判定是否可換貨,其流程需7~10個工作天(不含假日)。
●傳輸介面: 2.5" SATA6 ●快閃記憶體: V-NAND 4bit MLC/MJX ●8TB ●緩衝記憶體: 8GB LPDDR4 ●連續讀取速度: 560/530MB/s ●尺寸: 100x 69.85x 6.8(mm) ●3年保固
●512GB ●3D NAND快閃記憶體 ●NVMe PCIe Gen3 x4 ●M.2 2230 ●連續讀寫速度:高達 2,000/1,100 MB/s ●4K隨機讀寫速度:高達 90,000/190,000 IOPS ●寫入兆位元組:200 TBW ●平均故障間隔 (MTBF):2,000,000 小時 ●LDPC除錯機制 ●五年有限保固
●4TB ●NVMe PCIe Gen 4.0 x4 ●讀取速度高達5500MB/s ●寫入速度高達5000MB/s ●WD nCache 4.0 技術 ●高端NVMe儲存技術在應用程式和專案之間平穩切換 ●免費下載Acronis True Image資料遷移軟體 ●M.2 2280尺寸 ●五年有限保固
●NVMe (PCIe Gen 3 x4) ●1TB ●M.2 (2280) ●順序讀取 - 3500 MB/s ●順序寫入 - 3000 MB/s ●耐用性:220 總寫入位元組數(TBW) ●五年保固
●2TB ●NVMe (PCIe Gen 4 x4) ●讀取速度高達7100MB/s ●寫入速度高達6000MB/s ●M.2 2230外觀尺寸 ●5年保固
●PCIe Gen4 x4介面 ●讀取速度高達5150MB/s ●寫入速度高達4900MB/s ●高效nCache 4.0技術可幫助您在更短時間內複製和發佈檔案 ●M.2 2280外觀尺寸 ●5年保固
●4,000 GB ●2.5 inch ●介面:SATA 6 Gb/s ●NAND:Samsung V-NAND 4bit MLC ●控制晶片:Samsung MKX Controller ●快取記憶體:Samsung 4 GB Low Power DDR4 SDRAM ●連續讀取速度最高 560 MB/s ●連續寫入速度最高 530 MB/s ●隨機讀取速度 (4KB, QD32)最高 98,000 IOPS ●隨機寫入速度 (4KB, QD32)最高 88,000 IOPS ●隨機讀取速度 (4KB, QD1)最高 11,000 IOPS ●隨機寫入速度 (4KB, QD1)最高 35,000 IOPS ●抗震1,500 G & 0.5 ms (Half sine) ●實體規格 ( 寬 X 長 X 高 )100 X 69.85 X 6.8 (mm) ●重量約 54.0g ●三年保固或1,440TBW 有限保固
●1TB ●PCIe Gen3 x4介面 ●相容NVMe 1.4標準 ●3D NAND ●讀取速度高達2400MB/s ●寫入速度高達1800MB/s ●支援Host Memory Buffer(HMB)提升讀寫效能 ●具備LDPC及AES 256-bit保護數位檔案 ●M.2 2280外觀尺寸 ●3年有限保固
●SATA 6.0Gb/s 介面●讀取速度高達 560Mb/s●寫入速度高達 510Mb/s●外殼厚度超薄7mm●2.5吋●with 9.5mm adapter●五年保固
●SATA 6Gb/s介面 ●3D NAND快閃記憶體 ●內建SLC caching效能增強 ●讀取速度高達550Mb/s ●寫入速度高達500Mb/s ●具備RAID engine資料保護機制及LDPC除錯機制 ●平均抹寫技術 ●垃圾資料回收機制 ●深眠模式(DevSleep) ●2.5吋外觀尺寸 ●外殼厚度超薄6.8mm ●三年有限保固
●2.5" ●1 TB ●SATA III ●最高連續讀取速度:560 MB/s ●最高連續寫入速度:520 MB/s ●100.2mm x 69.85mm x 7mm ●五年保固
●Micron Crucial P3 Plus 1000GB ( PCIe M.2 ) SSD ●容量 1TB ●讀取速度 5000 MB/s ●寫入速度 3600 MB/s ●3D NAND 創新控制器技術 ●5年保固
●500GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●5,000MB/s 讀取速度,3,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度:160TBW ●MTBF:2,000,000 小時 ●尺寸:22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●1TB ●M.2 Type 2280-S2-M ●PCIe Gen3x4 ●TLC ●最高循序讀取速度2,100 MB/s ●最高循序寫入速度1,700 MB/s ●最高隨機讀取速度400,000 IOPS ●最高隨機寫入速度400,000 IOPS ●耐久性 400 TBW ●MTTF:150 萬 小時 ●5 年保固
●2TB ●PCIe Gen 5x4介面 ●符合NVMe NVMe 2.0標準 ●3D NAND快閃記憶體 ●讀取速度高達10000MB/s ●寫入速度高達10000MB/s ●1400 TBW資料寫入總量 ●內建資料安全防護及錯誤偵測功能 ●適用於桌上型電腦及筆記型電腦 ●五年保固
●256GB ●DevSleep技術 ●MLC高品質顆粒 ●高效能、高穩定 ●搭載DDR3 DRAM cache快取記憶體 ●支援S.M.A.R.T.、TRIM及NCQ指令 ●智慧磁區管理與資料抹寫平均化功能 ●TS256GMSA370
●容量:2TB ●介面規格:M.2 ●尺寸:M.2 ●記憶體顆粒:TLC ●最高讀取/寫入速度: 5000/4400 MB/s ●五年保固
●SATA 6.0Gb/s介面 ●3D NAND SATA ●連續讀取高達540MB/s ●連讀寫入高達500MB/s ●外殼厚度超薄7mm ●2.5吋規格 ●三年有限保固
●Micron Crucial P3 Plus 500GB ( PCIe M.2 ) SSD ●容量 500GB ●讀取速度 4700MB/s ●寫入速度1900MB/s ●3D NAND 創新控制器技術 ●5年保固
●1000GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●6,000MB/s 讀取速度,4,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度:320TBW ●MTBF:2,000,000 小時 ●尺寸:22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固