依各原廠規定為主,通常依購買憑證之購買日起計算,若無購買憑證則依照出廠日期計算。
購買日起七日內,產品有任何非人損因素的問題,且原包裝配件都在才可申請,並由原廠判定是否可換貨,其流程需7~10個工作天(不含假日)。
●SATA6.0Gb/s介面 ● 3D NAND TLC快閃記憶體 ● 讀取速度高達560Mb/s ● 寫入速度高達500Mb/s ● 厚度僅6.8mm ● 2.5吋 ● RAID engine資料保護機制 ● LDPC (Low Density Parity Check)除錯機制 ● 平均抹寫區塊(Wear Leveling)技術 ● 五年有限保固 ● 鋁殼
●PCIe Gen3x4介面 ●符合 NVMe 1.3標準 ●搭載3D TLC快閃記憶體 ●讀取速度高達3500MB/s ●寫入速度高達2300MB/s ●支援 SLC Caching、DRAM Cache Buffer 、E2E 端到端資料保護和 LDPC ECC 除錯機制 ●尺寸:22 x 80mm ●五年有限保固
●2.5" ●500GB ●SATA 6Gb/s ●讀取速度 550MB/s ●寫入速度 500MB/s ●3D NAND 創新控制器技術 ●3年保固
480GB NVMe SSD,適用於 Mac mini 升級套件
●256GB ●USB3.2 Gen2x1介面(10Gbps) ●USB Type-C+Type-A雙接頭 ●3D快閃記憶體 ●讀取速率高達1050MB/s ●寫入速度高達950MB/s ●鋁合金外殼 ●內建的ECC糾錯功能 ●五年有限保固
●隨機讀寫速度(IOPS):讀:90K 寫:82K ●介面:2.5吋 SATA●容量:500GB ●最大持續傳輸速率(MB/秒):讀:560MB/s, 寫:510MB/s●NAND Flash:TLC(Triple-Level Cell)●製程:64層 3D NAND ●運作溫度:0°C-70°C ●5年保固
●2,000GB ●介面:PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0 ●Samsung V-NAND TLC ●快取記憶體:Samsung 2GB Low Power DDR4X SDRAM ●M.2 (2280) ●連續讀取速度:最高 14,700 MB/s ●連續寫入速度:最高 13,400 MB/s ●5年或1200TBW有限保固
●支援單/雙埠的 24G SAS 介面 ●1,600GB ●外型規格:2.5 吋、高 15 公釐 ●SAS-4 ●Sustained 128 KiB Sequential Read:4,200 MB/s ●Sustained 128 KiB Sequential Write:3,400 MB/s ●雙埠模式的隨機讀取高達 72 萬 IOPS (4 KiB) ●MTTF:2,500,000 hours ●3 DWPD 搭配 100% 隨機寫入工作負載 ●五年保固
●SATA 6.0Gb/s 介面●讀取速度高達 560Mb/s●寫入速度高達 510Mb/s●外殼厚度超薄7mm●2.5吋●with 9.5mm adapter●五年保固
●支援單/雙埠的 24G SAS 介面 ●12,800 GB ●外型規格:2.5 吋、高 15 公釐 ●SAS-4 ●Sustained 128 KiB Sequential Read:4,200 MB/s ●Sustained 128 KiB Sequential Write:4,100 MB/s ●雙埠模式的隨機讀取高達 72 萬 IOPS (4 KiB) ●MTTF:2,500,000 hours ●3 DWPD 搭配 100% 隨機寫入工作負載 ●五年保固
2.0TB NVMe SSD,含工具、散熱片和 Envoy Pro 外接盒的完整 Mac 升級套件
240GB NVMe SSD,含工具和 Envoy Pro 外接盒的完整 Mac 升級套件
●480GB ●快取:512GB ●2.5吋 7mm ●SATA 6.0 Gb/s ●讀寫速度:Up to 550 MB/s;Up to 530 MB/s ●MTBF:1,600,000 hours
●500GB ●M.2 ●3D NAND 快閃記憶體 ●介面:PCIe 4.0 ●尺寸:80 x 22 x 2.15mm ●連續讀取速度:5000 MB/s ●連續寫入速度:3000 MB/s ●平均故障間隔:2,000,000 小時 ●總寫入數據量:640TB ●保固:5年
●1TB ●最高讀取3,200MB/s ; 最高寫入2,000MB/s ●匯流排介面:NVMe PCIe Gen3 x4 ●M.2 2280 ●Flash類型:3D快閃記憶體 ●寫入兆位元組 (TBW):400 TBW ●平均故障間隔 (MTBF):2,000,000 小時 ●原廠五年有限保固
●1TB ●M.2 Type 2280-S2-M ●PCIe Gen3x4 ●TLC ●最高循序讀取速度2,100 MB/s ●最高循序寫入速度1,700 MB/s ●最高隨機讀取速度400,000 IOPS ●最高隨機寫入速度400,000 IOPS ●耐久性 400 TBW ●MTTF:150 萬 小時 ●5 年保固
●500GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●5,000MB/s 讀取速度,3,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度:160TBW ●MTBF:2,000,000 小時 ●尺寸:22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●1000GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●6,000MB/s 讀取速度,4,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度:320TBW ●MTBF:2,000,000 小時 ●尺寸:22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●2000GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●6,000MB/s 讀取速度,5,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度:640TBW ●MTBF:2,000,000 小時 ●尺寸:22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固