依各原廠規定為主，通常依購買憑證之購買日起計算，若無購買憑證則依照出廠日期計算。
購買日起七日內，產品有任何非人損因素的問題，且原包裝配件都在才可申請，並由原廠判定是否可換貨，其流程需7~10個工作天(不含假日)。
●2TB ●3D NAND快閃記憶體 ●快取記憶體：2GB DDR4 ●M.2 2280 ●PCIe Gen4x4, NVMe 1.4 ●讀寫速度：7000/6800 MB/s ●Up 1400 TBW ●支援全方位的資料安全性和糾錯功能 ●五年有限保固或到達產品TBW
480GB NVMe SSD,含工具、散熱片的 Mac 升級套件
●2TB ●PCIe Gen 5x4 ●NVMe傳輸介面 ●支援Microsoft DirectStorage ●讀取速度 10000 MB/s ●寫入速度 8700 MB/s ●3D NAND ●5年保固
●512GB ●DevSleep技術 ●MLC高品質顆粒 ●高效能、高穩定,搭載DDR3 DRAM cache快取記憶體 ●支援S.M.A.R.T.、TRIM及NCQ指令 ●智慧磁區管理與資料抹寫平均化功能 ●TS512GMSA370
●2TB ●PCIe Gen 5x4介面 ●符合NVMe NVMe 2.0標準 ●3D NAND快閃記憶體 ●讀取速度高達10000MB/s ●寫入速度高達10000MB/s ●1400 TBW資料寫入總量 ●內建資料安全防護及錯誤偵測功能 ●適用於桌上型電腦及筆記型電腦 ●五年保固
●250GB ●連續讀寫速度：高達 3,200/1,800 MB/s ●4K隨機讀寫速度：高達 100,000/390,000 IOPS ●3D快閃記憶體 ●NVMe PCIe Gen4 x4 ●M.2 2280 ●寫入兆位元組：150 TBW ●平均故障間隔 (MTBF)：2,000,000 小時 ●五年有限保固
500GB SSD,含完整 DIY 工具包,適用 iMac 2012 年末
●2,000GB ●介面：PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0 ●Samsung V-NAND TLC ●快取記憶體：Samsung 2GB Low Power DDR4X SDRAM ●M.2 (2280) ●連續讀取速度：最高 14,700 MB/s ●連續寫入速度：最高 13,400 MB/s ●5年或1200TBW有限保固
●500GB ●M.2 ●3D NAND 快閃記憶體 ●介面：PCIe 4.0 ●尺寸：80 x 22 x 2.15mm ●連續讀取速度：5000 MB/s ●連續寫入速度：3000 MB/s ●平均故障間隔：2,000,000 小時 ●總寫入數據量：640TB ●保固：5年
●M.2 2280 ●容量：128 GB ●讀寫速度：2500/2100 Mb/s ●MTBF：2000000小時 ●連續讀寫 IOPS：80K/75K ●5年保固
●NVMe PCIe Gen3 x2介面 ●符合最新NVMe 1.3規範 ●96層3D NAND快閃記憶體 ●讀取速度高達 1700Mb/s ●寫入速度高達 1250Mb/s ●內建LDPC ECC自動糾錯功能 ●支援全區平均抹寫及故障區塊管理 ●垃圾資料回收機制 ●M.2 2242外觀尺寸 ●三年有限保固
●2.5" ●500GB ●SATA 6Gb/s ●讀取速度 550MB/s ●寫入速度 500MB/s ●3D NAND 創新控制器技術 ●3年保固
●1000GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●6,000MB/s 讀取速度，4,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度：320TBW ●MTBF：2,000,000 小時 ●尺寸：22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
1.0TB NVMe SSD,含工具、散熱片和 Envoy Pro 外接盒的完整 Mac 升級套件
●512GB●連續讀寫最高可達560/500MB/s●全新升級超高效能●高階ECC除錯引擎 ●支援DEVSLP指令,功耗更低更省電●3年保固 ●7mm極致輕薄
●500GB ●Gen 4x4 NVMe PCIe 效能 ●5,000MB/s 讀取速度，3,000MB/s 寫入速度 ●3D NAND ●耐用度：160TBW ●MTBF：2,000,000 小時 ●尺寸：22mm x 80mm x 2.3mm ●五年有限保固
●介面: SATA III 6Gb/s ●連續讀取速度: 最高550MB/s ●連續寫入速度: 最高520MB/s ●IOPs: 80,000 ●耐衝擊力: 1,500G/0.5msec ●耐震動強度: 15G ●支援SATA省電模式 ●SLC Caching快取演算技術 ●內建先進平均抹寫技術(Wear Leveling) ●自動錯誤校正(ECC)功能 ●原廠3年保固
●4TB ●PCIe Gen 5x4 ●NVMe傳輸介面 ●支援Microsoft DirectStorage ●讀取速度 14500 MB/s ●寫入速度 13800 MB/s ●3D NAND ●5年保固
●Samsung V-NAND TLC ●介面: PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0 ●M.2 (2280) ●高達 7,450 / 6,900 MB/s 的讀 / 寫速度 ●快取記憶體: Samsung 4GB Low Power DDR4 SDRAM ●尺寸: 80.15 x 25 x 8.88 (含散熱片)
●256GB ●3D NAND快閃記憶體 ●NVMe PCIe Gen3 x4 ●M.2 2230 ●連續讀寫速度：高達 2,000/950 MB/s ●4K隨機讀寫速度：高達 90,000/220,000 IOPS ●寫入兆位元組：100 TBW ●平均故障間隔 (MTBF)：2,000,000 小時 ●LDPC除錯機制 ●五年有限保固
